【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种真空镀膜设备及其控制方法。
技术介绍
1、半导体行业中为晶圆镀膜常使用真空镀膜设备，晶圆由机械手送到真空镀膜设备的真空腔室后，多个顶针升起将晶圆托住，便于机械手撤回，之后顶针下降将晶圆放在真空镀膜设备的基片台上。为了给顶针的升降运动留有空间，基片台对应顶针的位置设置有开孔，随着镀膜工艺开发的不断进行，基片台的开孔位置对工艺的影响日渐突出，例如，真空腔室内的热场、等离子场、流场等工艺参数常会在基片台的开孔处存在突变，难以适应新工艺的开发。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种真空镀膜设备，以尽量减少顶针位置处的结构对镀膜工艺的影响。本专利技术的另一目的在于提供一种真空镀膜设备的控制方法，以便开发出更多新的镀膜工艺。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种真空镀膜设备，包括：
4、位于真空腔室内的基片台，用于放置基片，所述基片台设置有多个过孔；
5、与所述过孔对应设置...
【技术保护点】
1.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述封孔件包括多个瓣片，所述瓣片远离所述过孔的中心的一端与所述基片台连接，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端能够互相分离以打开所述过孔，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端能够互相拼合以关闭所述过孔。
3.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，当所述顶针顶部伸出所述过孔时，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端被所述顶针挤离拼合位置以打开所述过孔；当所述顶针顶部缩回所述过孔时，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端恢复拼合状态以关闭所述过孔。
4.根据...
【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述封孔件包括多个瓣片，所述瓣片远离所述过孔的中心的一端与所述基片台连接，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端能够互相分离以打开所述过孔，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端能够互相拼合以关闭所述过孔。
3.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，当所述顶针顶部伸出所述过孔时，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端被所述顶针挤离拼合位置以打开所述过孔；当所述顶针顶部缩回所述过孔时，所述瓣片靠近所述过孔的中心的一端恢复拼合状态以关闭所述过孔。
4.根据权利要求2所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜设备包括设置于所述顶针外周面上的连接杆，所述连接杆的两端分别连接所述顶针和所述瓣片，所述顶针升降运动时通过所述连接杆驱动所述瓣片打开或拼合。
5.根据权利要求4所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述瓣片远离所述过孔的中心的...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶长松，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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