【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储，尤其涉及一种铁电存储器及其刷新方法、存储设备及电子设备。
技术介绍
1、铁电随机存储器(ferroelectric random access memory，feram)，也可以称为“铁电存储器”，铁电存储器利用铁电材料可以发生自发极化，且极化强度能够随外电场作用而重新取向的特点进行数据存储；当电场撤去时，部分极化状态仍可保持，该极化强度称为剩余极化强度，利用剩余极化强度方向的不同，施加相同方向的电场，翻转电荷不同，可以用于存储数据“0”和“1”。
2、1tnc结构的铁电存储器的存储单元包括一个存取晶体管(transistor，简写为t)和多个铁电电容(capacitor，简写为c)，存取晶体管的栅极与字线连接，存取晶体管的第一端与位线连接，多个铁电电容的第一极板均与存取晶体管的第二端连接，每一个铁电电容可以用于存储1位数据，但在访问这其中的任一个铁电电容存储的数据时，由于多个铁电电容的第一极板均与存取晶体管的第二端连接，会导致其他未被选中的铁电电容承受干扰，承受干扰次数过多会导致铁电电容存储的数据失效，因此...
【技术保护点】
1.一种铁电存储器，其特征在于，所述铁电存储器包括：主存储阵列以及计数电路，所述主存储阵列包括多条字线及多个存储单元，所述字线沿第一方向延伸，沿第一方向分布的多个所述存储单元连接同一条所述字线；
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述计数电路包括映射电路及镜像存储阵列，所述镜像存储阵列包括：字线、位线和板线以及多个存储单元，所述镜像存储阵列的所述存储单元包括存取晶体管和多个铁电电容，其中，所述存取晶体管的栅极与所述字线连接，所述存取晶体管的第一端与所述镜像存储阵列的所述位线连接，所述存取晶体管的第二端连接所述多个铁电电容的第一极板，所述多个铁...
【技术特征摘要】
1.一种铁电存储器，其特征在于，所述铁电存储器包括：主存储阵列以及计数电路，所述主存储阵列包括多条字线及多个存储单元，所述字线沿第一方向延伸，沿第一方向分布的多个所述存储单元连接同一条所述字线；
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述计数电路包括映射电路及镜像存储阵列，所述镜像存储阵列包括：字线、位线和板线以及多个存储单元，所述镜像存储阵列的所述存储单元包括存取晶体管和多个铁电电容，其中，所述存取晶体管的栅极与所述字线连接，所述存取晶体管的第一端与所述镜像存储阵列的所述位线连接，所述存取晶体管的第二端连接所述多个铁电电容的第一极板，所述多个铁电电容中的第一铁电电容的第二极板与所述镜像存储阵列的所述板线中的第一板线连接，所述多个铁电电容中的第二铁电电容的第二极板与所述镜像存储阵列的所述板线中的第二板线连接；
3.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述主存储阵列还包括：位线和板线；
4.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，所述主存储阵列包括多组字线，每一组字线包括多条字线，所述主存储阵列的多组字线与所述镜像存储阵列的位线一一对应。
5.根据权利要求4所述的铁电存储器，其特征在于，所述映射电路包括多路复用器，所述主存储阵列的一组字线通过所述多路复用器与一条所述镜像存储阵列中的位线连接。
6.根据权利要求2所述的铁电存储器，其特征在于，当所述镜像存储阵列中的所述位线所连接铁电电容存储的第一逻辑值转变为状态相反的第二逻辑值时，确定所述镜像存储阵列中所述位线所连接的主存储阵列中的多条字线的访问次数达到预设次数。
7.一种铁电存储器的刷新方法，其特征在于，所述铁电存储器包括：主存储阵列以及计数电路，所述主存储阵列包括多条字线及多个存储单元，所述字线沿第一方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：高强，刘晓真，徐亮，卜思童，方亦陈，林琪，许俊豪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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