一种降低杂散电感的分立器件制造技术

本技术提供一种降低杂散电感的分立器件，基座以及设置在所述基座一端的引脚排；所述引脚排包括第一类引脚和第二类引脚；所述第一类引脚为一个开尔文发射极引脚；所述第二类引脚包括栅极引脚、源极引脚和发射极引脚。多了一个引脚，降低了引脚的杂散电感，提高了效率,降低了开关损耗，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率模块，尤其涉及一种降低杂散电感的分立器件。

技术介绍

1、在现代电力电子设备中，绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolartransistor，简称igbt)是一种非常重要的功率半导体器件。它结合了mosfet的高输入阻抗和双极晶体管的高电压、大电流特性，广泛应用于变频器、光伏逆变、焊机和电动汽车等领域。

2、然而，随着电力电子技术的发展和市场需求的提高，对igbt的输出效率、可靠性的要求也越来越严格。尤其是在高频、高压、大电流的应用环境下，传统的igbt分立器件面临着严重的挑战。

3、首先，目前市面上的igbt分立器件大多是三端口器件，即门极(栅极)、集电极(漏极)、发射极(源极)。这种结构的igbt在封装体中只有两个或三个引脚，每个引脚管脚都有较大的杂散电感。在高频、大电流的工作状态下，这种大的杂散电感会导致igbt的开关损耗增大，严重影响其输出效率。

4、其次，由于igbt的开关损耗无法得到有效降低，这将导致igbt的工作温度升高，从而影响其可靠性。长期工作在高温环境下，可能会导致本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，

3.如权利要求2所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述基座(8)还包括设置在所述第一类引脚和第二类引脚之间的包覆结构(10)。

4.如权利要求3所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包覆结构(10)向内凹陷。

5.如权利要求4所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包覆结构(10)向内凹陷的形状为矩形或者半圆形。

6.如权利要求4所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包...

【技术特征摘要】

1.一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，

3.如权利要求2所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述基座(8)还包括设置在所述第一类引脚和第二类引脚之间的包覆结构(10)。

4.如权利要求3所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包覆结构(10)向内凹陷。

5.如权利要求4所述的一种降低杂散电感的分立器件，其特征在于，所述包覆结构(10)...

【专利技术属性】
技术研发人员：田哲伟，冯冰杰，
申请(专利权)人：斯达半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：