【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件及其工艺制造领域，特别是涉及一种低失效率的沟槽型功率器件及其制造方法。
技术介绍
1、是半导体功率器件是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换，可通过半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。功率半导体具有能够支持高电压、大电流的特性，主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等。除保障电路正常运行外，因其能够减少电能浪费，功率半导体还能起到节能、省电的作用。
2、随着半导体功率器件的技术不断迭代，其元胞设计由平面型向沟槽型转变，随着功率密度要求的不断提高，沟槽型功率器件的沟槽尺寸也在不断下降，以igbt为例，典型的沟槽尺寸已经在1um以下。
3、随着沟槽尺寸的不断下降，在芯片的生产制造中出现了更多的问题，其中就包括高参杂衬底氧化速率上升、质量下降导致器件可靠性下降甚至失效，伴随着沟槽尺寸的下降，高参杂区域的沟槽内尤其是沟槽顶部位置更容易出现栅极氧化质量的下降，造成良率损失和器件质量的下降。
技术实现思路<
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【技术保护点】
1.一种低失效率的沟槽型功率器件，其特征在于：所述低失效率的沟槽型功率器件包括一个终端区，一个设置于所述终端区内的过渡区，一个设置于所述过渡区内的元胞区，以及至少五个设置于所述元胞区内的沟槽，所述终端区上开设有一圈注入有参杂物质的ring环，所述过渡区为一个注入有参杂物质的独立的环形参杂区域，该过渡区靠近所述元胞区内的所述沟槽。
2.根据权利要求1所述的低失效率的沟槽型功率器件，其特征在于：所述沟槽的两个端部分别设置有一个槽顶参杂区，该槽顶参杂区与所述过渡区间隙接触。
3.根据权利要求2所述的低失效率的沟槽型功率器件，其特征在于：所述槽顶参杂区...
【技术特征摘要】
1.一种低失效率的沟槽型功率器件，其特征在于：所述低失效率的沟槽型功率器件包括一个终端区，一个设置于所述终端区内的过渡区，一个设置于所述过渡区内的元胞区，以及至少五个设置于所述元胞区内的沟槽，所述终端区上开设有一圈注入有参杂物质的ring环，所述过渡区为一个注入有参杂物质的独立的环形参杂区域，该过渡区靠近所述元胞区内的所述沟槽。
2.根据权利要求1所述的低失效率的沟槽型功率器件，其特征在于：所述沟槽的两个端部分别设置有一个槽顶参杂区，该槽顶参杂区与所述过渡区间隙接触。
3.根据权利要求2所述的低失效率的沟槽型功率器件，其特征在于：所述槽顶参杂区的参杂浓度范围在1e11 cm-3～1e13cm-3。
4.根据权利要求2所述的低失效率的沟槽型功率器件，其特征在于：所述槽顶参杂区的位置范围在所述沟槽的槽底以上2um至所述沟槽的槽底以下2...
【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，董文斌，
申请(专利权)人：浙江翠展微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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