半导体模块制造技术

半导体模块具备绝缘基板、导电图案、晶体管、位于比晶体管靠第1方向的位置的负侧电源端子、以及与导电图案接合的辅助布线，晶体管包括发射极和位于比发射极靠第1方向的位置的栅电极，电流在导电图案中自指定地点经由晶体管向负侧电源端子流动，发射极包括第1部分和第2部分，该第2部分位于比第1部分靠与第1方向相反的第2方向的位置，辅助布线包括靠近指定地点的第1端和靠近晶体管的第2端，第2端距第1部分的距离大于第2端距第2部分的距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体模块。

技术介绍

1、例如已知有用于逆变器装置等电力转换装置的半导体模块。该半导体模块例如具有igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metaloxide semiconductor field effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、fwd(free wheeling diode：续流二极管)等半导体元件。

2、专利文献1所记载的半导体模块具备绝缘性基板、形成在绝缘性基板上的多个导电体图案、以及半导体元件。半导体元件的下表面为集电极。该下表面借助焊料与多个导电体图案中的一个导电图案接合。另外，在半导体元件的上表面设有发射极端子以及作为控制端子的栅极端子。

3、相比于与栅极电连接的导电体图案，在与集电极电连接的导电体图案以及与发射极电连接的导电体图案中流动有大电流。在引用文献1中，公开有为了使大电流容易在与集电极电连接的导电体图案中流动而在该导电体图案接合多个金属引线的技术。

4、现有技术文献

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体模块，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

3.一种半导体模块，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其中，

5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体模块，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体模块，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，

3.一种半导体模块，其特征在于，<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈塽清，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：