【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及存储器以及相关，具体地，涉及适用于一种存储器字线刷新方法、激活方法、装置、设备和介质。
技术介绍
1、动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram）是一种半导体存储器。动态随机存取存储器在刷新的时候，通常dram每个阵列内部是存在地址比较电路的，基于比较电路只刷新被使用到的字线，如果某字线损坏，则只刷新对应的冗余字线，损坏的字线和未被使用的冗余字线都不会刷新。而为减小存储器内存的面积，通过将比较电路和记录冗余字线地址的熔断器放在存储器的底层控制逻辑，在该方式中刷新操作时每个内存阵列无法单独进行地址比较，不论当前地址是否损坏，不同阵列内部只能无区别地对该地址进行刷新，当所有地址遍历后，被使用的冗余字线并未刷新。
2、现有技术中，一种方式是通过增加地址传输线，实现在同一次刷新操作中在不同阵列的刷新地址不同，但是增加的地址传输线使得存储器整体体积增大，另一种方式是通过增加刷新操作的次数来实现冗余地址的刷新，但是需要额外的刷新命令，且由于每一次刷新操作所需要的时间较长，额外...
【技术保护点】
1.一种存储器字线刷新方法，应用于存储器，存储器包括多个内存阵列，一所述内存阵列包括多个字线区块和多个冗余字线区块，一所述字线区块包括多个子字线区块，一所述字线区块对应一所述冗余字线区块，所述字线区块包括的子字线区块的数量与所述冗余字线区块包括的冗余字线的数量相同，一所述子字线区块对应一条所述冗余字线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述刷新地址中第二区域包括的地址位所对应的地址，确定目标字线区块和目标冗余字线区块之前，还包括：
4.根...
【技术特征摘要】
1.一种存储器字线刷新方法，应用于存储器，存储器包括多个内存阵列，一所述内存阵列包括多个字线区块和多个冗余字线区块，一所述字线区块包括多个子字线区块，一所述字线区块对应一所述冗余字线区块，所述字线区块包括的子字线区块的数量与所述冗余字线区块包括的冗余字线的数量相同，一所述子字线区块对应一条所述冗余字线，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述刷新地址中第二区域包括的地址位所对应的地址，确定目标字线区块和目标冗余字线区块之前，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据各所述内存阵列中与所述刷新地址中第一区域包括的地址位所对应的地址的字线的状态信息，确定目标内存阵列之时，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述刷新地址中第一区域包括的地址位所对应的地址与子字线区块包括的地址的对应关系，在所述目标冗余字线区块中确定目标冗余字线，包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：汪佳峰，
申请(专利权)人：浙江力积存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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