一种宽带低相噪频率合成电路及方法技术

技术编号:42077524 阅读:28 留言:0更新日期:2024-07-19 16:56
本发明专利技术公开了一种宽带低相噪频率合成电路及方法,其中电路包括参考倍频单元、主锁相环、辅锁相环、扩频单元以及控制单元,参考倍频单元两输出端分别连接主锁相环和辅锁相环;辅锁相环输入端接参考倍频单元,输出端接主锁相环;主锁相环两输入端分别接参考倍频单元和辅锁相环,输出端接扩频单元;扩频单元输入端连接主锁相环输出,输出端即为频率合成电路的输出;控制单元接收控制指令。本发明专利技术使用高鉴相频率锁相环做为辅环,产生可灵活配置的低相噪内插信号;结合环内混频技术,降低主锁相环环路N值,优化相位噪声;在获得具有优异相位噪声的基带信号基础上,采用可变分频器对主锁相环产生的基带信号进行可变分频,最终实现宽覆盖输出频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及频率合成,尤其涉及一种宽带低相噪频率合成电路及方法


技术介绍

1、锁相环又叫间接频率合成技术,被广泛应用于射频微波电路与系统中,其典型原理图如图1所示,其中的n分频器可以集成或不集成在鉴相器内。

2、为获取更为获取更好的相位噪声指标,通常在图1所示的锁相环基础上增加混频器电路,形成环内混频锁相环电路,其典型的原理框图如图2所示。

3、环内混频锁相环优化相位噪声的原理是:内插一低相位噪声的信号,与压控振荡器输出信号进行混频,即下变频得到反馈信号,反馈信号与参考信号进行鉴相。其好处在于内插混频器降低了n分频器的n值(或者代替n分频器),减少了环路倍频次数,进而优化了相位噪声。优化相位噪声的前提是:内插信号相位噪声优于输出信号的相位噪声。

4、现有的环内混频锁相环电路方案通常采用梳线谱发生器加开关滤波的方式产生内插信号,但此种方式使用的器件较多不易集成,方案复杂不易于小型化、低成本设计,缺乏频点配置的灵活性。另一种方式是采用锁相环产生内插信号,实现环内混频电路,多用于扩展频率合成的细步进功能,如《电子测量原理》本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽带低相噪频率合成电路,其特征在于,包括参考倍频单元、主锁相环、辅锁相环、扩频单元以及控制单元,其中:

2.根据权利要求1所述的宽带低相噪频率合成电路,其特征在于,所述参考倍频单元包括依次连接的放大器、第一功分器、m倍频电路和第一滤波电路,所述放大器将外部参考信号进行低附加相位噪声地放大;所述第一功分器级联放大器,将放大后的外部参考信号分为两路,一路输出至主锁相环,作为第一参考信号fref;另一路输出至m倍频电路,将外部参考信号进行倍频;m倍频电路接第一滤波电路,第一滤波电路对倍频后的信号滤除无用的多次谐波,输出至辅锁相环,作为第二参考信号mfref。

3...

【技术特征摘要】

1.一种宽带低相噪频率合成电路,其特征在于,包括参考倍频单元、主锁相环、辅锁相环、扩频单元以及控制单元,其中:

2.根据权利要求1所述的宽带低相噪频率合成电路,其特征在于,所述参考倍频单元包括依次连接的放大器、第一功分器、m倍频电路和第一滤波电路,所述放大器将外部参考信号进行低附加相位噪声地放大;所述第一功分器级联放大器,将放大后的外部参考信号分为两路,一路输出至主锁相环,作为第一参考信号fref;另一路输出至m倍频电路,将外部参考信号进行倍频;m倍频电路接第一滤波电路,第一滤波电路对倍频后的信号滤除无用的多次谐波,输出至辅锁相环,作为第二参考信号mfref。

3.根据权利要求2所述的宽带低相噪频率合成电路,其特征在于,所述主锁相环包括首尾连接的第一鉴相器、第一环路滤波器、第一压控振荡器、第二功分器、混频器和低通滤波器,所述第一压控振荡器产生的第一输出信号fvco1经过第二功分器分为两路,一路输出至扩频单元;另一路作为本振信号frf输出至混频器,并与所述辅锁相环输出的射频信号frf进行混频得到中频信号fif;所述混频器输出的中频信号fif经过低通滤波器后在第一鉴相器中与第一参考信号fref实时比对;所述第一鉴相器输出的误差信息经过第一环路滤波器后控制第一压控振荡器使第一输出信号fvco1锁定至第一目标频率。

4.根据权利要求3所述的宽带低相噪频率合成电路,其特征在于,所述辅锁相环包括首尾连接的第二鉴相器、第二环路滤波器、第二压控振荡器、第三功分器、第二可变...

【专利技术属性】
技术研发人员:毛云山侯照临邱一峰陈远林陈睿陈昌锐谢翔宇赵翔苏梦蜀唐晶晶
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十九研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1