【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示,尤其涉及一种发光芯片,以及一种包括所述发光芯片的显示面板。
技术介绍
1、在显示
,共用一个的第一掺杂氮化镓层的发光芯片通常是在衬底上直接形成第一掺杂氮化镓层,而后在第一掺杂氮化镓层背离衬底的表面设置多个功能单元。这种发光芯片具有较高的发光亮度,并且能够降低布线难度,已逐步成为发光芯片的一种发展趋势。
2、但在现有技术中,功能单元的多量子阱层向外发出的光线,会有一部分光线射向第一掺杂氮化镓层,而基于第一掺杂氮化镓层的折射率大于衬底的折射率,进入第一掺杂氮化镓层内的光线,会存在部分光线在第一掺杂氮化镓层内发生全反射,该部分全反射光线会存留于第一掺杂氮化镓层内,进而导致现有技术中的发光芯片的发光量降低,降低了发光芯片的出光效率。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种发光亮度较强、出光效率较高的发光芯片,以及一种包括所述发光芯片的显示面板,具体包括如下技术方案:
2、第一方面,本申请实施例提供了一种发光芯片,包括:
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【技术保护点】
1.一种发光芯片,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,相邻的两个所述功能单元之间的间距范围为2-5μm。
3.根据权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述出光孔贯穿所述第一掺杂氮化镓层,并在所述第一掺杂氮化镓层的相对两个表面上分别形成第一开口和第二开口,所述第一开口相对于所述第二开口更靠近所述第一表面,所述第一开口在所述第一表面上的投影与所述第二开口在所述第一表面上的投影齐平,或收容于所述第二开口在所述第一表面上的投影内。
4.根据权利要求3所述的发光芯片,其特征在于,所述出光孔的孔壁与所述第一表面之
...【技术特征摘要】
1.一种发光芯片,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,相邻的两个所述功能单元之间的间距范围为2-5μm。
3.根据权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述出光孔贯穿所述第一掺杂氮化镓层,并在所述第一掺杂氮化镓层的相对两个表面上分别形成第一开口和第二开口,所述第一开口相对于所述第二开口更靠近所述第一表面,所述第一开口在所述第一表面上的投影与所述第二开口在所述第一表面上的投影齐平,或收容于所述第二开口在所述第一表面上的投影内。
4.根据权利要求3所述的发光芯片,其特征在于,所述出光孔的孔壁与所述第一表面之间的夹角大于36°,其中,所述孔壁连接于所述第一开口和所述第二开口之间。
5.根据权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述出光孔设有多个,且间隔分布于相邻的两个所述功能单元...
【专利技术属性】
技术研发人员:戴广超,马非凡,赵永周,王子川,黄兆斌,
申请(专利权)人:重庆康佳光电技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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