电子阻挡材料及有机半导体元件制造技术

技术编号:42076442 阅读:36 留言:0更新日期:2024-07-19 16:55
下述通式的化合物作为电子阻挡材料而有用。R1~R21表示H、氘原子、氰基以外的取代基;X表示O或S。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种作为电子阻挡材料有用的化合物及使用了该化合物的有机半导体元件。


技术介绍

1、正在积极进行提高有机电致发光元件(有机el元件)等有机半导体元件的性能的研究。举例来说,为了改善有机电致发光元件的元件寿命和驱动电压,期望改善电子传输材料、空穴传输材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料等与电荷传输相关的材料的功能,因此还进行对这些材料的开发或改良。

2、举例来说,电子阻挡材料为如下材料:设置于发光层与空穴传输层之间以阻止存在于发光层中的电子从发光层脱落至空穴传输层,并且承担来自空穴传输层的空穴传输至发光层的功能的电子阻挡层的材料。若使用优异的电子阻挡材料,则在发光层中的电子与空穴的再键合概率提高,结果与元件寿命的延长相关。以往,作为电子阻挡材料提出了各种各样的化合物,例如在专利文献1中使用具有下述结构的化合物。

3、[化学式1]

4、

5、以往技术文献

6、非专利文献

7、非专利文献1:wo2022/168956a


技术实现思路b>

1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子阻挡材料,其包含下述通式(1)所表示的化合物,

2.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

3.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

4.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

5.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

6.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

7.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

8.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其用于与下述通式(G)所表示的化合物组合使用,

9.一种有机半导体元件,其包含权利要求1所述的电子阻挡材料。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电子阻挡材料,其包含下述通式(1)所表示的化合物,

2.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

3.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

4.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

5.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

6.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

7.根据权利要求1所述的电子阻挡材料,其中,

8.根据权利要求1所述的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员:小泽宽晃柏﨑贵弘后藤亚衣子汤川智基森尾桃子黄松慧吉崎诚远藤礼隆
申请(专利权)人:九州有机光材股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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