【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电镀金银合金，涉及一种替代纯金凸块封装倒装芯片的金银合金凸块及其制备方法。
技术介绍
1、倒装芯片封装技术是通过芯片上的凸块，直接将元器件朝下互连到基板、载体或者电路板上。倒装芯片避免了多余的封装工艺，同时具有缩小尺寸、可高频运行、低寄生效应和高i/o密度等优点。倒装芯片封装技术适用于液晶显示、图像传感器、记忆体、微处理器及微波射频等多种芯片，具体应用产品包括手机、电视、电脑、平板和相机等。
2、倒装芯片使用的凸块，为了保障芯片性能，基于金的优异特性，通常使用纯金制备。银作为另外一种贵金属，也具备良好的电导率和导热性，同时价格远低于金；但是使用纯银制备凸块，存在出现银针、银迁移以及容易氧化及硫化等问题，不能满足芯片性能需求。如果能用银部分替代金，可以大大降低金凸块的成本；并且金银合金凸块相较于纯金凸块具有更低的电阻和更高的导热系数，有助于提升芯片的散热性能，增加电器互连密度。然而，使用电镀工艺制备金银合金凸块替代金凸块，存在以下技术问题需要解决。
3、首先，金银合金凸块在退火后的硬度要匹配使用纯金凸...
【技术保护点】
1.替代纯金凸块封装倒装芯片的金银合金凸块，其特征在于，所述金银合金凸块由两层金银合金层组成，分别为连接层和防护层；所述连接层金的含量为20-50wt%；所述防护层的金含量为60wt%以上；所述金银合金层中晶粒的平均粒径为0.10-0.30μm。
2.根据权利要求1所述的金银合金凸块，其特征在于，所述连接层金的含量为20-40wt%。
3.根据权利要求1所述的金银合金凸块，其特征在于，所述连接层金的含量为30-50wt%。
4. 根据权利要求1所述的金银合金凸块，其特征在于，所述连接层的厚度为7-20 μm，所述防护层的厚度为10-
【技术特征摘要】
1.替代纯金凸块封装倒装芯片的金银合金凸块，其特征在于，所述金银合金凸块由两层金银合金层组成，分别为连接层和防护层；所述连接层金的含量为20-50wt%；所述防护层的金含量为60wt%以上；所述金银合金层中晶粒的平均粒径为0.10-0.30μm。
2.根据权利要求1所述的金银合金凸块，其特征在于，所述连接层金的含量为20-40wt%。
3.根据权利要求1所述的金银合金凸块，其特征在于，所述连接层金的含量为30-50wt%。
4. 根据权利要求1所述的金银合金凸块，其特征在于，所述连接层的厚度为7-20 μm，所述防护层的厚度为10-500 nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的金银合金凸块的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
【专利技术属性】
技术研发人员：任长友，王彤，邓川，刘松，邓威，
申请(专利权)人：深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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