【技术实现步骤摘要】
本文描述的本公开的实施例涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种包括具有降低的噪声的电容器的图像传感器和包括该图像传感器的相机模块。
技术介绍
1、电容器用于各种电子装置。图像传感器或包括图像传感器的相机模块也使用各种类型的电容器。随着电容器的电极的面积变大，电容器的电容可增加。然而，随着电容器的电极的面积变得更大，在电容器的电极和周围导电材料之间形成的寄生电容也会增加，从而导致信号干扰或劣化。
2、图像传感器或相机模块可以在感测图像信号的过程中使用电容器。电容器的寄生电容可能成为图像信号中的噪声。特别地，随着像素变得更精细，与像素对应的电路也变得更精细。随着电路变得越来越精细(例如，越来越小)，由寄生电容引起的噪声可能对图像信号具有更大的影响。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了一种即使利用纳米级制造技术制造也具有降低的噪声的图像传感器和包括该图像传感器的相机模块。
2、根据一个或多个实施例，一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列；斜坡信号产生器，其被配置为生...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一电容器和所述第二电容器包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一电容器和所述第二电容器中的每一个还包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述至少两个第三导电指状物中的一个沿着远离所述第一方向的所述方向在所述至少两个第一导电指状物之间延伸，并且
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述至少两个第三导电指状物中的一个在所述至少两个第一导电指状物与所述至少两个第二导电指状物之间的空间中沿着远离所述第一方向的所述方向延
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【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一电容器和所述第二电容器包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一电容器和所述第二电容器中的每一个还包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述至少两个第三导电指状物中的一个沿着远离所述第一方向的所述方向在所述至少两个第一导电指状物之间延伸，并且
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述至少两个第三导电指状物中的一个在所述至少两个第一导电指状物与所述至少两个第二导电指状物之间的空间中沿着远离所述第一方向的所述方向延伸。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述第一导电材料、所述至少两个第一导电指状物、所述第二导电材料、所述至少两个第二导电指状物、所述第三导电材料和所述至少两个第三导电指状物在两个或更多个金属层中。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述两个或更多个金属层中的所述第一导电材料、所述至少两个第一导电指状物、所述第二导电材料、所述至少两个第二导电指状物、所述第三导电材料和所述至少两个第三导电材料通过一个或多个接触板连接。
8.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述第一导电材料对应于所述第一电容器的第一端子，
9.根据权利要求5所述的图像传感器，其中，所述多个第一衰减器中的每一个还包括：
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第三导电材料连接到所述多个模数转换器当中的对应模数转换器的第一输入。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，所述第一晶体管和所述第一传输门通过使用包括finfet工艺、环栅工...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴赞珉，朴圣贤，金京勋，金茂永，金善中，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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