【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种灰化处理装置、灰化处理装置的控制方法以及灰化处理系统。
技术介绍
1、灰化技术是一种去除残留光刻胶的干法工艺。该工艺通过产生氧等离子体，利用等离子体中的氧自由基使光刻胶的有机成分燃烧产生气体，以此达到去除残留光刻胶的目的。
2、然而，在灰化过程中，光刻胶燃烧产生的气体可能为酸性气体或碱性气体，在灰化处理装置中易产生结晶，需要频繁对管道进行清理，导致生产效率受到影响。
3、因此，亟需一种可以减少灰化过程中容易在灰化处理装置中产生结晶的方案。
4、在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种灰化处理装置、灰化处理装置的控制方法以及灰化处理系统，以至少解决现有技术中灰化过程中容易在灰化处理装置中产生结晶的问题。
2、实现上述目的，根据本申...
【技术保护点】
1.一种灰化处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的灰化处理装置，其特征在于，所述气体分离结构还包括：
3.根据权利要求2所述的灰化处理装置，其特征在于，所述第二排气管路有两个第二排气子管路，一个所述第二排气子管路与第一容纳腔连通，另一个所述第二排气子管路与所述第二容纳腔连通。
4.根据权利要求2所述的灰化处理装置，其特征在于，所述气体分离结构还包括：
5.根据权利要求2所述的灰化处理装置，其特征在于，所述气体分离结构还包括：
6.根据权利要求1所述的灰化处理装置，其特征在于，所述吸附膜的材料为...
【技术特征摘要】
1.一种灰化处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的灰化处理装置，其特征在于，所述气体分离结构还包括：
3.根据权利要求2所述的灰化处理装置，其特征在于，所述第二排气管路有两个第二排气子管路，一个所述第二排气子管路与第一容纳腔连通，另一个所述第二排气子管路与所述第二容纳腔连通。
4.根据权利要求2所述的灰化处理装置，其特征在于，所述气体分离结构还包括：
5.根据权利要求2所述的灰化处理装置，其特征在于，所述气体分离结构还包括：
6.根据权利要求1所述的灰化处理装置，其特征在于，所述吸附膜的材料为树脂类高分子材料，所述吸附膜的孔径在2nm～50nm之间，所述吸附膜的厚度在100g/m2～200g/m2之间。
7.根据权利要求1所述的灰化处理装置，其特征在于，所述反应物气体为h2、n2以及o2中的至少一种，所述酸性气体为no2，所述碱性气体为nh3。
8.根据权利要求1所述的灰化处理装置，其特征在于，所述装置还包括：
9.根据权利要求1所述的灰化处理装置，其特征在于，所述装置还包括：
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的灰化处理装置，其特征在于，所述第一排气管路的第一端穿过所述载台，在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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