【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率模块，尤其涉及半桥模块封装结构。
技术介绍
1、随着汽车、航空等电力电子应用的迅速发展，对系统的效率和功率密度的要求不断提高，碳化硅功率模块因其低开关损耗、高开关速度和抗高温特性而在众多应用领域中得到广泛应用。
2、半桥型碳化硅功率模块通常在一块基板上电连接多个碳化硅芯片，碳化硅器件的高频操作使电源回路中的寄生电感大，限制功率模块的性能。同时，碳化硅芯片只依靠一块基板进行散热，散热能力差。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术实施例公开了半桥模块封装结构，以解决功率模块散热能力差、高频寄生电感大的问题。
2、本专利技术所采用的技术方案如下：
3、半桥模块封装结构，所述半桥模块封装结构包括：上桥封装组件，包括：第一基板；直流电源正极功率端子，设置在所述第一基板第一面的侧端；第一...
【技术保护点】
1.半桥模块封装结构，其特征在于，所述半桥模块封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半桥模块封装结构，其特征在于，所述支撑体包括：
3.根据权利要求2所述的半桥模块封装结构，其特征在于，所述支撑体包括：第二支撑体，设置在所述第二基板的第二面上；
4.根据权利要求3所述的半桥模块封装结构，其特征在于，所述第一基板包括：
5.根据权利要求1所述的半桥模块封装结构，其特征在于，所述半桥模块封装结构包括：
6.根据权利要求3所述的半桥模块封装结构，其特征在于：所述第一支撑体设置在所述第一基板第一面上与所述直流电源正...
【技术特征摘要】
1.半桥模块封装结构，其特征在于，所述半桥模块封装结构包括：
2.根据权利要求1所述的半桥模块封装结构，其特征在于，所述支撑体包括：
3.根据权利要求2所述的半桥模块封装结构，其特征在于，所述支撑体包括：第二支撑体，设置在所述第二基板的第二面上；
4.根据权利要求3所述的半桥模块封装结构，其特征在于，所述第一基板包括：
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：王素，张鹏，戴鑫宇，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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