基于负载检测技术的低功耗高瞬态响应低压差线性稳压器制造技术

本发明专利技术公开一种基于负载检测技术的低功耗高瞬态响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator，LDO)电路。该电路包括偏置电压电路、误差放大器、输出级电路、自适应偏置电路、欠冲抑制电路和过冲抑制电路。自适应偏置电路可以根据检测负载电流变化，自适应地改变误差放大器的尾电流大小，减小LDO的响应时间，提高LDO的响应速度。过冲抑制电路通过检测功率管栅极电压的变化，提供一条额外的负载电流放电电路，减小LDO的过冲电压。欠冲电压抑制电路通过检测输出电压的欠冲电压，提供一条额外的功率管栅极到地的放电电路，促使LDO功率管栅极快速放电，抑制LDO的欠冲电压，提高LDO的瞬态响应。同时，在无负载时，电路中所有MOS管工作于亚阈值区，从而实现低功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，具体涉及一种基于负载检测技术的低功耗高瞬态响应低压差线性稳压器。

技术介绍

1、低压差线性稳压器(low dropout regulator，ldo)因其具有低功耗、快速响应、结构简单、易于集成等特性，广泛应用于便携式电子设备之中。传统ldo由于外接电容的存在，不利用片内集成，同时会增加使用成本，应用场景受到很大限制，无片外电容型ldo成为当前的研究热点。但无片外电容型ldo的瞬态响应、稳定性等性能不如传统型ldo。一些数字电路、射频电路对速度要求十分严格，ldo若不能在负载切换时快速稳定输出电压，会导致芯片不能正常工作，甚至致使芯片烧毁。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是在于提出一种基于负载检测技术的低功耗高瞬态响应ldo，以解决在低静态电流条件下，无片外电容ldo的瞬态响应、稳定性等性能不如传统型ldo的问题。

2、为解决上述问题，本专利技术基于负载检测技术，提供了一种低功耗高瞬态响的ldo电路，包括偏置电压电路、误差放大器、输出级电路、自适应偏置结构、欠冲抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于负载检测技术的低功耗高瞬态响应LDO，其特征在于：电路结构包括偏置电压电路、误差放大器、输出级电路、自适应偏置电路、欠冲抑制电路和过冲抑制电路，所述偏置电压电路包括NMOS管MN1～MN4，PMOS管MP1～MP4，电阻R1；其中MN1的漏极与栅极相连构成二极管连接方式，MN1的源极接地，MN1的栅极作为所述偏置电压电路的输出端VBN与所述误差放大器的NMOS管MN11的栅极、所述过冲抑制电路的NMOS管MN16的栅极和所述欠冲抑制电路的NMOS管MN18、MN19的栅极相连接；MN2、MN3的栅极相连接，MN2、MN3的源极接地；MN4的栅极与MN1、MN2的栅极相连接，M...

【技术特征摘要】

1.一种基于负载检测技术的低功耗高瞬态响应ldo，其特征在于：电路结构包括偏置电压电路、误差放大器、输出级电路、自适应偏置电路、欠冲抑制电路和过冲抑制电路，所述偏置电压电路包括nmos管mn1～mn4，pmos管mp1～mp4，电阻r1；其中mn1的漏极与栅极相连构成二极管连接方式，mn1的源极接地，mn1的栅极作为所述偏置电压电路的输出端vbn与所述误差放大器的nmos管mn11的栅极、所述过冲抑制电路的nmos管mn16的栅极和所述欠冲抑制电路的nmos管mn18、mn19的栅极相连接；mn2、mn3的栅极相连接，mn2、mn3的源极接地；mn4的栅极与mn1、mn2的栅极相连接，mn4的源极接地；mp1的栅极连接mp2的漏极，mp1的漏极连接mn1的漏极；mp2的栅极与mp3的栅极连接，mp2的漏极与mn2的漏极相连接，mp2的源极连接电源；mp3以二极管方式连接，mp3的漏极与mn3的漏极相连接；mp4以二极管方式连接，mp4的漏极与mn4的漏极连接，mp4的源极连接电源，mp4的栅极作为所述偏置电压电路的输出端vb与所述过冲抑制电路的pmos管mp13的栅极相连接；电阻r1的下端与mp1、mp3的源极相连接，电阻r1的上端...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海情，赵欣领，王昌志，梁文萱，许彬，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：