【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及半导体领域，尤其涉及一种用于制备高k介质膜的双腔匹配方法。
技术介绍
1、随着集成电路的飞速发展，在常规mosfet结构中需要一种高介电常数(high k)材料来代替传统的sio2介质层，以满足良好的绝缘属性和较高的场效应需求。目前业界highk介质膜通常使用热原子层沉积(thermal ald，tald)的技术制备而成，然而ald设备的成膜速度相比于cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)设备较慢。在保证膜质的同时，如何提升high k介质膜的产率(throughput，t-put)是业界关心的重要课题之一。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是如何使用于沉积高k介质膜的双腔在工艺性能上高度匹配，以改善双腔基片高k介质膜沉积的均匀性和一致性，提高产量和良率。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种用于制备高k介质膜的双腔匹配方法，所述双腔包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体用于同时分别处理不同的基片，所述第...
【技术保护点】
1.一种用于制备高k介质膜的双腔匹配方法，所述双腔包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体用于同时分别处理不同的基片，所述第一腔体通过第一进气管道连接至总进气管道，所述第一进气管道上设有第一进气阀，所述第二腔体通过第二进气管道连接至总进气管道，所述第二进气管道上设有第二进气阀，所述总进气管道上设有总进气阀及流量控制器，所述第一腔体还设有第一出气管道及第一出气阀，所述第二腔体还设有第二出气管道及第二出气阀，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的双腔匹配方法，其特征在于，所述步骤S11还包括：使所述第一腔体和所述第二腔体内的压力都为预定压
...
【技术特征摘要】
1.一种用于制备高k介质膜的双腔匹配方法，所述双腔包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体用于同时分别处理不同的基片，所述第一腔体通过第一进气管道连接至总进气管道，所述第一进气管道上设有第一进气阀，所述第二腔体通过第二进气管道连接至总进气管道，所述第二进气管道上设有第二进气阀，所述总进气管道上设有总进气阀及流量控制器，所述第一腔体还设有第一出气管道及第一出气阀，所述第二腔体还设有第二出气管道及第二出气阀，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的双腔匹配方法，其特征在于，所述步骤s11还包括：使所述第一腔体和所述第二腔体内的压力都为预定压力值。
3.如权利要求1所述的双腔匹配方法，其特征在于，在所述步骤s13中，在等待所述第一预设时长t1之后，所述总进气管道内的压力稳定。
4.如权利要求1所述的双腔匹配方法，其特征在于，所述步骤s15包括：
5.如权利要求4所述的双腔匹配方法，其特征在于，还包括：
6.如权利要求1所述的双腔匹配方法，其特征在于，所述步骤s16包括：
7.如权利要求6所述的双腔匹配方法，其特征在于，还包括：
8.如权利要求1所述的双腔匹配方法，其特征在于，所述预设范围是小于0.05torr。
9.一种用于制备高k介质膜的双腔匹配方法，所述双腔包括第一腔体和第二腔体，所述第一腔体和所述第二腔体用于同时分...
【专利技术属性】
技术研发人员：王传道，韩萍，苏扬扬，许正昱，若林华央，
申请(专利权)人：研微江苏半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。