交流气体放电显示屏制造技术

本发明专利技术提供了一种交流气体放电显示屏，包括：玻璃基板、障壁、荧光粉、介质、ＡＤＤ电极、下板玻璃、ＭｇＯ介质保护膜，等离子显示屏还包括：维持电极Ｘ、扫描电极Ｙ，其中维持电极Ｘ和扫描电极Ｙ的电极结构为Ｙ－Ｘ－Ｙ－Ｙ－Ｘ－Ｙ－Ｙ－Ｘ－Ｙ，每个维持电极Ｘ对应两个扫描电极Ｙ。本发明专利技术克服了现有技术中采用的电极结构使维持电极Ｘ电极挡住了一部分等离子的发光，从而导致光效降低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及彩色显示屏制造领域，具体而言，涉及一种交流气体放电显示屏。
技术介绍
在现有的等离子显示屏设计制造中，通常将含ITO(Indium TinOxides，氧化铟锡) 的XX-YY电极结构中的维持电极X和扫描电极Y设计成相同的数量，相邻单元的电极对按 照X-XY-YX-XY-Y进行排列配对，其纵截面示意图如图1所示。 专利技术人发现现有技术中采用的电极结构使维持电极X电极挡住了一部分等离子 的发光，从而导致光效降低。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种交流气体放电显示屏，能够解决现有技术中采用的电极结构使维持电极X电极挡住了一部分等离子的发光，从而导致光效降低的问题。 在本专利技术的实施例中，提供了一种交流气体放电显示屏，包括玻璃基板、障壁、荧光粉、介质、ADD电极、下板玻璃、MgO介质保护膜，等离子显示屏还包括维持电极X、扫描电极Y，其中 维持电极X和扫描电极Y的电极结构为Y-X-Y-Y-X-Y-Y-X-Y，每个维持电极X对应 两个扫描电极Y。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，维持电极X具体包括Ag电极和ITO电极， 其中维持电极X的Ag电极设置于障壁宽向的顶部；ITO电极沿Ag电极宽向方向延伸至放 电空间与扫描电极Y构成电极对。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，障壁顶部位于ITO电极的正中位置，ITO电极沿宽度方向相邻的放电空间延伸至所需的放电间隙处。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，Ag电极位于ITO的正中位置。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，Ag电极的分布方式具体为沿障壁的顶部的宽向分布。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，维持电极X的Ag电极的分布具体为沿障 壁的顶部的横宽向分布。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，维持电极X的Ag电极的线条宽度和障壁 顶宽相近。 在上述实施例中，通过采用Y-X-Y-Y-X-Y-Y-X-Y的电极结构，每个维持电极X对应 两个扫描电极Y，使维持电极X的总数降低至现有技术中的维持电极X数量的一半，从而使 维持电极X对等离子的发光的遮挡程度降低，提高了等离子的光效和对比度，克服了现有 技术中采用的电极结构使维持电极X电极挡住了一部分等离子的发光，从而导致光效降低 的问题。附图说明 此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中 图1示出了现有技术中等离子屏结构的纵截面示意图； 图2示出了根据本专利技术的一个实施例的交流气体放电显示屏的纵截面示意图； 图3示出了根据本专利技术的一个优选实施例的含有IT0电极的工艺示意图； 图4示出了根据本专利技术的一个优选实施例的含有ITO电极和Ag电极的工艺示意图5示出了根据本专利技术的一个优选实施例的含有ITO电极、Ag电极和介质的工艺示意图； 图6示出了根据本专利技术的一质保护膜的工艺示意 图7示出了根据本专利技术的平面结构示意 图8示出了根据本专利技术的的平面结构示意图。水优选实施例的含有ITO电极、Ag电极、介质和MgO介一水优选实施例的Ag电极沿障壁的顶部的宽向分布的一水优选实施例的Ag电极沿障壁的顶部的横宽向分布具体实施例方式下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本专利技术。 图2示出了根据本专利技术的一个实施例的交流气体放电显示屏的纵截面示意图，包括玻璃基板201、障壁202、荧光粉203 、介质204、 ADD电极205、下板玻璃206 、MgO介质保护膜207，等离子显示屏还包括维持电极X 208、扫描电极Y 209，其中 维持电极X 208和扫描电极Y 209的电极结构为Y-X-Y-Y-X-Y-Y-X-Y，每个维持电极X 208对应两个扫描电极Y 209。 在本实施例中，通过采用Y-X-Y-Y-X-Y-Y-X-Y的电极结构，每个维持电极X对应两个扫描电极Y，使维持电极X的总数降低至现有技术中的维持电极X数量的一半，从而使维持电极X对等离子的发光的遮挡程度降低，提高了等离子的光效和对比度，克服了现有技术中采用的电极结构使维持电极X电极挡住了一部分等离子的发光，从而导致光效降低的问题。 同时，在本实施例中，通过将维持电极X的数量减少至一半，降低了等离子的制造成本，克服了现有技术制造成本较高的问题。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，维持电极X具体包括Ag电极和ITO电极，其中维持电极X的Ag电极设置于障壁宽向的顶部；ITO电极沿Ag电极宽向方向延伸至放电空间与扫描电极Y构成电极对。如图2所示，Ag电极210位于障壁202宽向的顶部，并与扫描电极Y 209构成电极对。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，障壁顶部位于ITO电极的正中位置，ITO电极沿宽度方向相邻的放电空间延伸至所需的放电间隙处。如图2障壁202顶部的位置关系所示，ITO电极211正中位置下对应的是障壁202。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，Ag电极位于ITO的正中位置。如图2维持电极207的位置关系所示，Ag电极210位于ITO电极211正中位置。 图3示出了根据本专利技术的一个优选实施例的含有ITO电极的工艺示意图；图4示出了根据本专利技术的一个优选实施例的含有ITO电极和Ag电极的工艺示意图；图5示出了根据本专利技术的一个优选实施例的含有ITO电极、Ag电极和介质的工艺示意图；图6示出了根据本专利技术的一个优选实施例的含有ITO电极、Ag电极、介质和MgO介质保护膜的工艺示意图。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，Ag电极的分布方式具体为沿障壁的顶部的宽向分布。Ag电极沿障壁的顶部的宽向分布的平面结构示意图如图7所示。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，维持电极X的Ag电极的分布具体为沿障壁的顶部的横宽向分布。Ag电极沿障壁的顶部的横宽向分布的平面结构示意图如图8所示。 优选地，在上述交流气体放电显示屏中，维持电极X的Ag电极的线条宽度和障壁顶宽相近。 以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，对于本领域的技术人员来说，本专利技术可以有各种更改和变化。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流气体放电显示屏，包括：玻璃基板、障壁、荧光粉、介质、ＡＤＤ电极、下板玻璃、ＭｇＯ介质保护膜，其特征在于，所述等离子显示屏还包括：维持电极Ｘ、扫描电极Ｙ，其中所述维持电极Ｘ和所述扫描电极Ｙ的电极结构为Ｙ－Ｘ－Ｙ－Ｙ－Ｘ－Ｙ－Ｙ－Ｘ－Ｙ，每个所述维持电极Ｘ对应两个所述扫描电极Ｙ。

【技术特征摘要】
一种交流气体放电显示屏，包括玻璃基板、障壁、荧光粉、介质、ADD电极、下板玻璃、MgO介质保护膜，其特征在于，所述等离子显示屏还包括维持电极X、扫描电极Y，其中所述维持电极X和所述扫描电极Y的电极结构为Y-X-Y-Y-X-Y-Y-X-Y，每个所述维持电极X对应两个所述扫描电极Y。2. 根据权利要求1所述的交流气体放电显示屏，其特征在于，所述维持电极X具体包括 Ag电极和ITO电极，其中所述维持电极X的所述Ag电极设置于所述障壁宽向的顶部；所述ITO电极沿所述Ag电极宽向方向延伸至放电空间与所述扫描电极Y构成电极对。3. 根据权利要求2所述的交流气体放电显示屏，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵之明，宋利建，吕旭东，
申请(专利权)人：四川虹欧显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]