一种EML芯片与测试方法技术

本发明专利技术提供一种EML芯片与测试方法，通过将EML芯片中调制器区的部分调制器去除，来作为测试电极中G电极的共用地线，将测试电极的G电极设置于去除调制器后暴露出来的衬底上，将S电极与G电极设置于调制器去，从而将测试电极集成于EML芯片上，并将薄膜电阻设置于G电极以及G电极与S电极之间填充层上，免去了对EML芯片的COC封装过程，以及去除了COC封装中金丝所带来的电感电容误差，并且在微波探针与S电极相接的同时通过切换微波探针与薄膜电阻的断开或连接，从而进行直流测试或者高频测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光芯片领域，特别是涉及一种eml芯片与测试方法。

技术介绍

1、传统半导体光芯片工艺中，在完成外延片芯片电极工艺后，外延片需要先解理成bar条，进行镀膜工艺，并在解离成单颗芯片后再进行测试筛选。其中eml(electroabsorption modulated laser，电吸收调制激光器)芯片不仅需要进行芯片级光电性能测试，还需要进行coc(chip on carrier，芯片安装工艺)高频带宽眼图测试，而高频测试需要将完成筛选的芯片进行贴片封装成coc，但是在产品大量出货阶段，其需要浪费大量的物料成本和时间成本；并且在进行coc封装的过程中，需要进行芯片金丝焊接，而金丝的长度与电感l相关，生产过程中金丝的长度是波动数值，电感l的波动会对后端测试芯片的高频特性造成很大的影响。

2、鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本
亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是如何在进行高频测试以前节省对芯片进行coc封装的时间与成本，以及规避由于coc封装中金丝本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种EML芯片，其特征在于，包括：薄膜电阻(1)和测试电极(4)，其中：

2.根据权利要求1所述的EML芯片，其特征在于，所述测试电极(4)包括两个相对设置的G电极(42)，其中一个G电极(42)靠近所述激光器区(2)设置，靠近所述激光器区(2)设置的G电极(42)与所述薄膜电阻(1)连接；

3.根据权利要求2所述的EML芯片，其特征在于，所述EML芯片包括衬底(39)，所述衬底(39)上设置有第一接触层(34)、两个相对设置的第二接触层(36)、第三接触层(37)和填充层(35)，所述第一接触层(34)延展至所述激光器区(2)，其中一个所述第二接触层(36)...

【技术特征摘要】

1.一种eml芯片，其特征在于，包括：薄膜电阻(1)和测试电极(4)，其中：

2.根据权利要求1所述的eml芯片，其特征在于，所述测试电极(4)包括两个相对设置的g电极(42)，其中一个g电极(42)靠近所述激光器区(2)设置，靠近所述激光器区(2)设置的g电极(42)与所述薄膜电阻(1)连接；

3.根据权利要求2所述的eml芯片，其特征在于，所述eml芯片包括衬底(39)，所述衬底(39)上设置有第一接触层(34)、两个相对设置的第二接触层(36)、第三接触层(37)和填充层(35)，所述第一接触层(34)延展至所述激光器区(2)，其中一个所述第二接触层(36)靠近所述激光器区(2)设置，另一个所述第二接触层(36)靠近所述衬底(39)的边缘设置，所述第三接触层(37)设置于所述调制电极(7)下方并延展至所述激光器区(2)；所述第一接触层(34)、两个相对设置的第二接触层(36)以及第三接触层(37)之间的空隙处设置有所述填充层(35)；

4.根据权利要求3所述的eml芯片，其特征在于，两个所述g电极(42)分别沿着对应的第二接触层(36)的侧面向下延伸至所述衬底(39)，

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【专利技术属性】
技术研发人员：万枫，熊永华，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：