芯片中间结构、微型发光元件结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片中间结构、微型发光元件结构及其制备方法。所述芯片中间结构包括基底以及设置于基底一侧的发光二极管芯片。基底和发光二极管芯片之间通过牺牲释放层连接，牺牲释放层可被激光分解。发光二极管芯片包括：外延结构、钝化层以及电极。外延结构位于基底的一侧。钝化层包覆外延结构且与基底接触连接。电极位于外延结构远离基底的一侧，并穿过钝化层与外延结构对应连接。其中，钝化层与基底接触的部分具有沿牺牲释放层周向分布的多个开口。开口贯穿钝化层暴露出牺牲释放层。上述芯片中间结构提高了发光二极管芯片与基底的剥离良率，且有利于控制剥离后发光二极管芯片的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示，尤其涉及一种芯片中间结构、微型发光元件结构及其制备方法。

技术介绍

1、微型发光二极管(micro-led)显示技术是指以自发光的微米量级发光二极管作为发光像素单元，将其组装到驱动背板上形成高密度发光二极管阵列的显示技术。

2、相关技术中，micro-led芯片通常先制备于基底上，然后再转移至驱动背板上。然而，当采用激光剥离技术将micro-led芯片从基底剥离时，由于激光不易使micro-led芯片中与基底接触的钝化层解离，故需要在micro-led芯片与基底之间产生足够大的气体压力才可以使得钝化层与基底解离。然而，用于剥离钝化层的气体压力越大，越容易增加剥离后micro-led芯片的位置控制难度，从而容易造成芯片偏移或倾斜等问题。

3、因此，如何提高发光二极管芯片与基底的剥离良率，是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片中间结构、微型发光元件结构及其制备方法，旨在解决如何提高发光二极管芯片与基底的剥离良率的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片中间结构，其特征在于，包括：基底以及设置于所述基底一侧的发光二极管芯片；所述基底和所述发光二极管芯片之间通过牺牲释放层连接，所述牺牲释放层可被激光分解；所述发光二极管芯片包括：

2.如权利要求1所述的芯片中间结构，其特征在于，所述基底为所述外延结构的生长基底；所述牺牲释放层生长形成于所述生长基底上，所述外延结构生长形成于所述牺牲释放层上。

3.如权利要求1所述的芯片中间结构，其特征在于，所述基底为临时基底；所述芯片中间结构还包括：键合层；

4.一种微型发光元件结构，其特征在于，所述微型发光元件结构为权利要求1-3任一项中通过激光分解掉所述牺...

【技术特征摘要】

1.一种芯片中间结构，其特征在于，包括：基底以及设置于所述基底一侧的发光二极管芯片；所述基底和所述发光二极管芯片之间通过牺牲释放层连接，所述牺牲释放层可被激光分解；所述发光二极管芯片包括：

2.如权利要求1所述的芯片中间结构，其特征在于，所述基底为所述外延结构的生长基底；所述牺牲释放层生长形成于所述生长基底上，所述外延结构生长形成于所述牺牲释放层上。

3.如权利要求1所述的芯片中间结构，其特征在于，所述基底为临时基底；所述芯片中间结构还包括：键合层；

4.一种微型发光元件结构，其特征在于，所述微型发光元件结构为权利要求1-3任一项中通过激光分解掉所述牺牲释放层之后的所述芯片中间结构。

5.一种芯片中间结构的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰升友，袁山富，马非凡，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：