外延层及其制作方法和发光芯片技术

本申请涉及一种外延层及其制作方法和发光芯片，该外延层包括N型半导体层，有源层以及P型半导体层，该外延层中N型半导体层包括依次层叠设置的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层，第一超晶格层为多个交替层叠的第一N型GaN子层与第一AlGaN子层，第二超晶格层为多个交替层叠的第二N型GaN子层与第二AlGaN子层，第三超晶格层为多个交替层叠的第三N型GaN子层与第三AlGaN子层，且第一AlGaN子层的铝组分含量、第三AlGaN子层的铝组分含量均低于第二AlGaN子层的铝组分含量；由第一超晶格层、第二超晶格层与第三超晶格层组成的超晶格结构使得电子在进入有源层之前，经过多次的电流扩展，提升发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及发光二极管领域，尤其涉及一种外延层及其制作方法和发光芯片。

技术介绍

1、microled(微米级发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的led(发光二极管)为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度led阵列的显示技术。由于microled芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与lcd(liquidcrystaldisplay，液晶显示器)、oled(organicelectroluminescencedisplay，有机电激光显示)相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。microled由于芯片尺寸小、驱动电流低及均匀性要求高，使得微小电流密度下的发光效率也面临了新的挑战。一般的外延结构因为小电流密度下光效低等原因制约着microled技术的发展。

2、因此，如何提升发光芯片的发光效率是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种外延层及其制作方法和发光芯片，旨在提升发光芯片的发光效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种外延层，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述第一超晶格层中各所述第一AlGaN子层的铝组分含量相同，所述第二超晶格层中各所述第二AlGaN子层的铝组分含量相同，所述第三超晶格层中各所述第三AlGaN子层的铝组分含量相同。

3.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，自所述第一超晶格层到所述第三超晶格层的层叠方向，所述第一超晶格层中多个所述第一AlGaN子层的铝组分含量呈阶梯式增大，所述第二超晶格层中各所述第二AlGaN子层的铝组分含量相同，所述第三超晶格层中多个所述第三AlGaN子层的铝组分含量呈阶梯式减小。

4.如...

【技术特征摘要】

1.一种外延层，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述第一超晶格层中各所述第一algan子层的铝组分含量相同，所述第二超晶格层中各所述第二algan子层的铝组分含量相同，所述第三超晶格层中各所述第三algan子层的铝组分含量相同。

3.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，自所述第一超晶格层到所述第三超晶格层的层叠方向，所述第一超晶格层中多个所述第一algan子层的铝组分含量呈阶梯式增大，所述第二超晶格层中各所述第二algan子层的铝组分含量相同，所述第三超晶格层中多个所述第三algan子层的铝组分含量呈阶梯式减小。

4.如权利要求1-3任一项所述的外延层，其特征在于，所述第一algan子层、所述第三algan子层的铝组分含量均为0.5％～2％，所述第二algan子层的铝组分含量为7％～10％。

5.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述第一超晶格层中各所述第一n型gan子层的掺杂浓度、所述第三超晶格层中各所述第三n型gan子层的掺杂浓度均小于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐毓英，荀利凯，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：