【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种模具叠层结构、半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着动态随机存取存储器件(dynamic random access memory，简称dram)制程不断微缩，dram中电容器的关键尺寸也持续缩小，使其结构得以进一步向高深宽比形貌发展。
2、然而，随着电容器结构深宽比的不断增大，容易在电容器的制备过程中或之后出现电容器倾斜或弯折的情况，这对于dram尺寸的进一步微缩是极大挑战，将造成生产良率以及产品可靠性的降低。
技术实现思路
1、本申请提供一种模具叠层结构、半导体结构及其制备方法。
2、第一方面，本申请根据一些实施例提供一种模具叠层结构，所述模具叠层结构设置于衬底上，用于形成网格图案，以容置存储节点网状结构；所述模具叠层结构包括：依次交替层叠的支撑层、模具层和支撑层，以及位于所述支撑层和所述模具层之间的粘附层；
3、其中，所述模具层包括类金刚石结构非晶碳材料层。
4、在一些实施例中，各所述支撑层的厚度沿...
【技术保护点】
1.一种模具叠层结构，其特征在于，所述模具叠层结构设置于衬底上，用于形成网格图案，以容置存储节点网状结构；所述模具叠层结构包括：依次交替层叠的支撑层、模具层和支撑层，以及位于所述支撑层和所述模具层之间的粘附层；
2.根据权利要求1所述的模具叠层结构，其特征在于，各所述支撑层的厚度沿远离所述衬底的方向逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的模具叠层结构，其特征在于，各所述模具层的厚度沿远离所述衬底的方向逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的模具叠层结构，其特征在于，各所述粘附层的厚度相同或相近。
5.根据权利要求1所述的模具叠层...
【技术特征摘要】
1.一种模具叠层结构，其特征在于，所述模具叠层结构设置于衬底上，用于形成网格图案，以容置存储节点网状结构；所述模具叠层结构包括：依次交替层叠的支撑层、模具层和支撑层，以及位于所述支撑层和所述模具层之间的粘附层；
2.根据权利要求1所述的模具叠层结构，其特征在于，各所述支撑层的厚度沿远离所述衬底的方向逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的模具叠层结构，其特征在于，各所述模具层的厚度沿远离所述衬底的方向逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的模具叠层结构，其特征在于，各所述粘附层的厚度相同或相近。
5.根据权利要求1所述的模具叠层结构，其特征在于，所述粘附层的厚度小于所述支撑层的厚度。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的模具叠层结构，其特征在于，所述类金刚石结构非晶碳材料层包括先进图案化膜层、科迪亚克膜层和类金刚石非晶碳膜层中的至少一种。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的模具叠层结构，其特征在于，所述粘附层的材料包括氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。
8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：宛强，问明亮，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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