【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体而言，涉及一种晶圆吸附控制方法与系统。
技术介绍
1、晶圆在制造和运输过程中，翘曲是一个常见且需要重视的问题。目前，翘曲晶圆的传送方式主要依赖于从晶圆背面吸附和传送晶圆；然而，在某些特殊制造过程，如外延反应中，由于技术限制，背面传送方式无法适用，需要从晶圆正面传送晶圆。
2、当晶圆发生翘曲时，从正面吸附翘曲晶圆的吸附力过大，可能会导致晶圆损伤；吸附力较小时，可能会导致晶圆不能被完全吸附，在运输过程中存在脱落的风险。特别是晶圆翘曲度过大时，吸附难度会显著增加。现有技术中，可采用按压翘曲晶圆的方式以来减小晶圆翘曲度。然而，按压翘曲度过大的晶圆时，如果按压力度或速度控制不当，可能会产生瞬间的冲击力，导致晶圆表面或内部结构受损，甚至导致晶圆破裂。此外，晶圆翘曲会降低后续掩膜光刻等工艺的精度。如果按压力度或按压速度控制不好，可能会进一步加剧这种影响，导致工艺精度下降，影响晶圆的质量和性能。而晶圆受损、破裂或工艺精度下降都可能导致晶圆在使用过程中出现失效或性能下降的情况。
3、因此，现有的晶圆搬...
【技术保护点】
1.一种晶圆吸附控制方法，用于吸附待搬运的翘曲晶圆，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S5中的所述多个边缘区域包括至少一个边缘翘曲区域。
3.根据权利要求2所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，在所述步骤S2之前还包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：随着所述晶圆的整体翘曲度的绝对值逐渐减小，实时调整所述按压力逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆吸附控制方法，用于吸附待搬运的翘曲晶圆，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤s5中的所述多个边缘区域包括至少一个边缘翘曲区域。
3.根据权利要求2所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，在所述步骤s2之前还包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤s2还包括：随着所述晶圆的整体翘曲度的绝对值逐渐减小，实时调整所述按压力逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤s2还包括：
6.根据权利要求5所述的晶圆吸附控制方法，其特征在于，所述步骤s2中的所述预设阈值为5mm。
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑞骥，余君山，
申请(专利权)人：华芯嘉兴智能装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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