一种基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的B/N化合物及其应用制造技术

本发明专利技术属于有机电致发光材料技术领域，涉及一类基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的B/N化合物及其在有机电致发光器件(OLED)中的应用。本发明专利技术所述基于新型吡嗪环合咔唑衍生物的B/N化合物作为B/N型多重共振型热活化延迟荧光材料(MR‑TADF)，利用其所制备的有机电致发光器件性能表现优良，除具有高外量子效率、窄发射光谱特征以及高的载流子迁移率外，还表现出高色纯度的红光发射和稳定的器件性能，其在显示与照明领域具有潜在的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机半导体，主要内容是作为有机电致发光二极管(oled)客体掺杂材料的高电子迁移率和红光窄谱带发射b/n化合物及基于其制备的oled。

技术介绍

1、随着科技的不断发展，显示技术已成为现代生活中不可或缺的一部分。在手机、平板、电脑、电视、车载、智能穿戴、vr/ar等各种应用场景中，lcd、oled、mini/microled、激光显示等多样化技术发挥着重要作用，不断推动着显示效果的升级。作为显示技术的上游环节，设备和材料技术节点与市场竞争格局一直是行业关注的焦点。下游需求的变化对显示器件的性能迭代产生了重要影响，同时也引导着上游设备和材料的发展方向。近年来，随着oled显示屏在消费电子市场的需求持续增长，oled上游材料和设备迎来了新的发展机遇。oled材料主要分为发光材料和通用材料两类，它们共同决定了oled器件的性能和成本。发光材料是oled显示器发光的源头，而通用材料则提供了oled器件正常工作的环境。

2、目前，oled终端材料主要被日本出光兴产、德国默克、美国udc、陶氏化学、韩国德山等占据。对于oled发光材料而言，红本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于具有如下通式结构：

2.如权利要求1所述的基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于所述取代或未取代中的“取代”是指氘原子、C1-C6的烷基、C6-C30的芳基、C3-C30的杂芳基中的一种。

3.如权利要求1所述的基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自甲基、叔丁基、氘代叔丁基、苯基、甲基苯基、呋喃基、菲基。

4.如权利要求1所述的基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的B/N化合物，其特征在于所述R7选自氢、苯基。

5....

【技术特征摘要】

1.一种基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于具有如下通式结构：

2.如权利要求1所述的基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于所述取代或未取代中的“取代”是指氘原子、c1-c6的烷基、c6-c30的芳基、c3-c30的杂芳基中的一种。

3.如权利要求1所述的基于吡嗪环合咔唑衍生物制备的b/n化合物，其特征在于所述取代或未取代中的“取代”是指取代基独立地选自甲基、叔丁基、氘代叔丁基、苯基、甲基苯基、呋喃基、菲基。

4.如权利要求1所述的基于吡嗪环合咔唑衍生物制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗旭峰，朱运会，杨戬，张其胜，
申请(专利权)人：浙江虹舞科技有限公司，
类型：发明
国别省市：