具有电磁屏蔽结构的晶圆、芯片以及半导体封装结构制造技术

本技术提供了一种具有电磁屏蔽结构的晶圆、芯片以及半导体封装结构，所述晶圆上包括多个芯片，两两所述芯片之间设有切割道，在所述晶圆正面的切割道上设置凹槽，所述凹槽合围在每个芯片四周，所述凹槽设在切割道上，所述凹槽内设有金属部；所述金属部上表面与凹槽上表面平齐，或者所述金属部上表面高于凹槽上表面；所述晶圆背面设有金属层，所述金属部连接金属层，对每个芯片形成电磁屏蔽结构直接针对晶圆上的每个芯片设置电磁屏蔽结构，切割后形成单颗具有电磁屏蔽功能的芯片，生产效率高，无溢镀风险。后续将该电磁屏蔽芯片直接贴装到基板上，由于该芯片具有电磁屏蔽功能，塑封后形成的半导体封装结构无需再进行电磁屏蔽结构的设计、制作，提高了半导体封装结构的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体封装，特别涉及一种具有电磁屏蔽结构的晶圆、芯片以及半导体封装结构。

技术介绍

1、电磁干扰(emi)历来是让电子产品设计工程师们头疼的一个问题，它威胁着电子设备的安全性、可靠性和稳定性。因此，在设计电子产品时，需要对电子系统制作电磁屏蔽层，使芯片受到的电磁干扰控制在一定的范围内，达到设计要求和标准，提高电路的整体性能。

2、现有技术中一般是通过内部金属罩、引线键合(wire bond)垂直打线或镭射开槽填导电银浆及溅射金属层等方式与外部的屏蔽(shielding)层相连实现屏蔽功能。在此过程中，需要使用专用机台将切割后的单颗芯片翻转后贴装在单面耐高温pi膜或者双面耐高温胶膜上，在完成溅射后需要使用专用机台将产品从耐高温胶膜上取下。该工艺过程中涉及的设备及辅助材料和治具成本较高，而且单颗芯片作业有很高的溢镀风险，影响后续封装产品的良率。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种具有电磁屏蔽结构的晶圆，直接针对晶圆上的每个芯片设置电磁屏蔽结构，切割后形成单颗具有电磁屏蔽功能的芯片，生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.具有电磁屏蔽结构的晶圆，所述晶圆上包括多个芯片，两两所述芯片之间设有切割道，其特征在于，在所述晶圆正面的切割道上设置凹槽，所述凹槽合围在每个芯片四周，所述凹槽设在切割道上，所述凹槽内设有金属部；所述金属部上表面与凹槽上表面平齐，或者所述金属部上表面高于凹槽上表面；所述晶圆背面设有金属层，所述金属部连接金属层，对每个芯片形成电磁屏蔽结构。

2.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽结构的晶圆，其特征在于，所述凹槽的宽度为300-1000um，深度为100-300um。

3.根据权利要求2所述的一种具有电磁屏蔽结构的晶圆，其特征在于，所述芯片正面设有植球或者设置导电...

【技术特征摘要】

1.具有电磁屏蔽结构的晶圆，所述晶圆上包括多个芯片，两两所述芯片之间设有切割道，其特征在于，在所述晶圆正面的切割道上设置凹槽，所述凹槽合围在每个芯片四周，所述凹槽设在切割道上，所述凹槽内设有金属部；所述金属部上表面与凹槽上表面平齐，或者所述金属部上表面高于凹槽上表面；所述晶圆背面设有金属层，所述金属部连接金属层，对每个芯片形成电磁屏蔽结构。

2.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽结构的晶圆，其特征在于，所述凹槽的宽度为300-1000um，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晗玥，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：