一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件制造技术

本发明专利技术提供一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件，该限幅器包括上层芯片和下层芯片。上层芯片包括硅基PIN二极管。下层芯片包括碳化硅衬底、碳化硅肖特基二极管和辅助电路。碳化硅肖特基二极管和辅助电路通过芯片制造工艺制备在碳化硅衬底上，其中，辅助电路包括耦合器、匹配电路和键合焊盘。硅基PIN二极管通过键合焊盘键合在碳化硅衬底上。本发明专利技术实施例将功率容量大的硅基PIN二极管与热导率高的碳化硅基肖特基二极管相结合，在确保限幅器高耐受功率的同时，大幅度缩小电路尺寸，提升了集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半有源耦合检波限幅器，尤其涉及一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件。

技术介绍

1、微波领域中，限幅器用于对输入信号进行自控衰减，其对小信号几乎可以无衰减地通过，而对大功率信号则会产生大的衰减。在强电磁脉冲应用中，对限幅器的耐功率特性、小型化方面提出了较高要求。

2、目前，传统砷化镓基半有源耦合检波限幅器mmic(单片微波集成电路)的集成化程度较高，但是由于其衬底散热差、高功率时管芯导通不均匀等问题，在耐功率特性提升上遇到较大瓶颈。

3、硅基pin二极管具有热导率高、导通电阻低和耐功率高的特点。由于硅基pin二极管与传统gaas基限幅器mmic的芯片制备工艺不兼容，无法单片化。由此，当前基于硅基pin二极管的半有源耦合检波限幅器通常采用混合集成工艺，即将硅基pin二极管与其他独立器件封装在pcb基板上，尺寸较大、集成化程度较低。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器及其组件，以解决现有半有源耦合检波限幅器耐受功率性能差，且尺寸大、集成度低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，包括：上层芯片和下层芯片；

2.如权利要求1所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，还包括：输入端和输出端；

3.如权利要求2所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，所述匹配电路的输入端连接所述碳化硅肖特基二极管的正极，输出端连接在所述硅基PIN二极管的正极与所述限幅器的输出端之间。

4.如权利要求1所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，还包括第一电容和第二电容；

5.如权利要求1所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，所述硅基PIN二极管的厚度范围为25微...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，包括：上层芯片和下层芯片；

2.如权利要求1所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，还包括：输入端和输出端；

3.如权利要求2所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，所述匹配电路的输入端连接所述碳化硅肖特基二极管的正极，输出端连接在所述硅基pin二极管的正极与所述限幅器的输出端之间。

4.如权利要求1所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，还包括第一电容和第二电容；

5.如权利要求1所述的碳化硅基半有源耦合检波限幅器，其特征在于，所述硅基pin二极管的厚度范围为25微米至35微米。

6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：高长征，孙一航，邓世雄，罗建，陈书宾，刘飞飞，孙计永，王生明，王磊，宋学峰，周彪，王乔楠，马维龙，陈帅，李丰，郭丰强，肖宁，吴波，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：