【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种外延片、一种制作该外延片的外延片制备方法、一种具有该外延片的发光芯片、以及一种具有该发光芯片的显示面板。
技术介绍
1、使用algainp系材料生长制成的发光芯片，通常在衬底基板上依次制作掺杂有n型掺杂材料的半导体层、发光层、以及掺杂有p型掺杂材料的半导体层，并通过两个半导体层共同配合以驱动发光层发光。
2、而半导体层内分别掺杂的p型掺杂材料和n型掺杂材料浓度均较低，无法与电极形成良好的欧姆接触，从而造成发光芯片的发光效率较低，影响发光芯片的发光亮度，进而使得显示面板的画面显示效果不佳，并降低用户的使用体验。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种能够提高发光效率和发光亮度的外延片。本申请还提供一种用于制作该外延片的外延片制备方法、一种具有该外延片或由该外延片制备方法制备的外延片的发光芯片、以及具有该发光芯片的显示面板。
2、本申请提供一种外延片，包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一半导体...
【技术保护点】
1.一种外延片，其特征在于，包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层共同作用以驱动所述发光层发光；
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一半导体层还包括层叠设置的第一限制层和第一过渡层，所述第一过渡层位于所述第一限制层和所述第一窗口层之间，且所述第一限制层位于所述发光层和所述第一窗口层之间。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二半导体层包括材质为GaAs的第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层内掺杂有P型掺杂材料，且所述P型掺杂材料的浓度大于或等于6E18 atoms/c
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【技术特征摘要】
1.一种外延片，其特征在于，包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层共同作用以驱动所述发光层发光；
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一半导体层还包括层叠设置的第一限制层和第一过渡层，所述第一过渡层位于所述第一限制层和所述第一窗口层之间，且所述第一限制层位于所述发光层和所述第一窗口层之间。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二半导体层包括材质为gaas的第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层内掺杂有p型掺杂材料，且所述p型掺杂材料的浓度大于或等于6e18 atoms/cm3。
4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述第二半导体层还包括层叠的第二窗口层和第二限制层，所述第二窗口层位于所述第二欧姆接触层和所述第二限制层之间，且所述第二限制层位于所述第二欧姆接触层和所述发光层之间。
5.一种外延片制备方法，其特征在于，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙威威，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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