电路、控制方法及对于休眠模式和运行模式的电路应用技术

电路、用于控制的方法以及用于休眠模式和运行模式的电路的应用，所述电路具有数字ＣＭＯＳ电路，所述数字ＣＭＯＳ电路具有ＮＭＯＳ场效应晶体管以及具有ＰＭＯＳ场效应晶体管，具有第一负载装置，其中，所述数字ＣＭＯＳ电路的ＮＭＯＳ场效应晶体管的源极连接端子通过所述第一负载装置与第一供电电压相连接，以及具有第二负载装置，其中，所述数字ＣＭＯＳ电路的ＰＭＯＳ场效应晶体管的源极连接端子通过所述第二负载装置与第二供电电压相连接，其中，所述数字ＣＭＯＳ电路的ＮＭＯＳ场效应晶体管的基体连接端子直接与所述第一供电电压相连接，其中，所述数字ＣＭＯＳ电路的ＰＭＯＳ场效应晶体管的基体连接端子直接与所述第二供电电压相连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
电路（１０）具有一数字ＣＭＯＳ电路（２０），所述数字ＣＭＯＳ电路（２０）具有ＮＭＯＳ场效应晶体管（Ｍ↓［Ｎ２１］，Ｍ↓［Ｎ２２］，Ｍ↓［Ｎ２３］，Ｍ↓［Ｎ２４］）以及具有ＰＭＯＳ场效应晶体管（Ｍ↓［Ｐ２１］，Ｍ↓［Ｐ２２］，Ｍ↓［Ｐ２３］，Ｍ↓［Ｐ２４］），具有一第一负载装置（４０），其中，所述数字ＣＭＯＳ电路（２０）的ＮＭＯＳ场效应晶体管（Ｍ↓［Ｎ２１］，Ｍ↓［Ｎ２２］，Ｍ↓［Ｎ２３］，Ｍ↓［Ｎ２４］）的源极连接端子（Ｓ）通过所述第一负载装置（４０）与一第一供电电压（Ｖ↓［ＳＳ］）相连接，以及具有一第二负载装置（３０），其中，所述数字ＣＭＯＳ电路（２０）的ＰＭＯＳ场效应晶体管（Ｍ↓［Ｐ２１］，Ｍ↓［Ｐ２２］，Ｍ↓［Ｐ２３］，Ｍ↓［Ｐ２４］）的源极连接端子（Ｓ）通过所述第二负载装置（３０）与一第二供电电压（Ｖ↓［ＤＤ］）相连接，其中，所述数字ＣＭＯＳ电路（２０）的ＮＭＯＳ场效应晶体管（Ｍ↓［Ｎ２１］，Ｍ↓［Ｎ２２］，Ｍ↓［Ｎ２３］，Ｍ↓［Ｎ２４］）的基体连接端子（Ｂ）直接与所述第一供电电压（Ｖ↓［ＳＳ］）相连接，其中，所述数字ＣＭＯＳ电路（２０）的ＰＭＯＳ场效应晶体管（Ｍ↓［Ｐ２１］，Ｍ↓［Ｐ２２］，Ｍ↓［Ｐ２３］，Ｍ↓［Ｐ２４］）的基体连接端子（Ｂ）直接与所述第二供电电压（Ｖ↓［ＤＤ］）相连接。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：L达特，T哈努施，M福韦尔克，
申请(专利权)人：爱特梅尔汽车股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]