【技术实现步骤摘要】
本申请涉及闪存芯片的检测领域,尤其涉及一种闪存资料稳定度的检测方法和检测系统。
技术介绍
1、目前市场上nand闪存类型分为slc、mlc、tlc三种类型。其中slc(single-levelcell),在1个存储器储存单元(cell)中存放1个位(bit)的资料;mlc(multi-level cell),在1个存储器储存单元(cell)中存放2个位(bit)的资料;而tlc(trinary-level cell),在1个存储器储存单元(cell)中存放3个位(bit)的资料,稳定性最差。
2、当闪存介质中的电子泄漏导致cell电压值偏移低于特定临界值,将无法可靠地读取数据bit,导致读取出的数据部分bit错误,数据因长时间老化而遗失的过程,称为dataretention现象,为了避免data retention现象发生,储存装置运行过程中需要定期检查闪存内所有闪存块(block)保存的已写入数据。每次检查需要读取每个block的每个页(page),需要大量的时间读取资料,若储存装置处于忙碌阶段且同时需要检查数据,会影响效
...【技术保护点】
1.一种闪存资料稳定度的检测方法,其特征在于,包括步骤:
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述步骤S1包括:
3.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述闪存块包括快页和慢页,所述慢页的数据稳定性值小于快页的数据稳定性值,所述步骤S21中包括:
4.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述步骤S1包括:
5.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述步骤S1包括:
6.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述闪存块包括快页和慢页,所述慢页的数据稳定性值小于快页的数据稳定性值,所述步骤
<...【技术特征摘要】
1.一种闪存资料稳定度的检测方法,其特征在于,包括步骤:
2.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述步骤s1包括:
3.如权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述闪存块包括快页和慢页,所述慢页的数据稳定性值小于快页的数据稳定性值,所述步骤s21中包括:
4.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述步骤s1包括:
5.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述步骤s1包括:
6.如权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述闪存块包括快页和慢页,所述慢页的数据稳定性值小于快页的数据...
【专利技术属性】
技术研发人员:王昭凯,
申请(专利权)人:深圳市时创意电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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