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基于配体导向MOFs的合成方法技术

技术编号:41998932 阅读:29 留言:0更新日期:2024-07-12 12:22
本发明专利技术公开了一种全新的生长机理,即有机配体通过弱作用力先形成氢键有机框架材料(HOFs),紧接着将金属离子填充插入该框架,最终形成MOFs。据此,发明专利技术人还建立了相应MOFs合成方法,该法以具有大共轭结构的TCPP为有机配体,采用溶剂热法,并使用DMF作为溶剂,乙酸作为调节剂。应用本发明专利技术,发明专利技术人制备了一种有机配体框架并合成了一系列具有相同结构不同金属离子的MOFs。综上,本发明专利技术提出了一种全新的有助于更加全面理解MOFs的形成机制,这一理论将完善MOFs的生长机理,并为合成MOFs提供了新的思路和方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属有机框架(mofs)材料,尤其涉及一种基于配体导向mofs的合成方法。


技术介绍

1、金属有机框架(mofs)材料具有比表面积大、孔隙率大、孔道结构和孔尺寸可调、稳定性较高等特点,因而被广泛地应用在气体存储、气体分离、催化、纳米医药等领域。

2、目前,关于mofs生长机理和合成的研究,主要沿用了yaghi和o’keeffe等人提出的基于分子和拓扑规则的“网状化学”概念。“网状化学”是指溶液中金属离子先迅速形成次级单元结构(sbus),随后桥连配体通过配体交换,取代sbus上封端的调节酸,基于其拓扑结构进而形成mofs,这种生长机理的本质是基于金属离子导向的。然而,基于sbu导向的mofs合成方法局限于易形成sbus的金属离子,某些特定的金属离子难以形成金属节点,因此很难以此获得相应的mofs。


技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提供一种新颖独特的基于配体导向mofs的合成方法,本专利技术完善了mofs生长机理,为合成mofs提供了新的思路和方案。</p>

2、为解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于配体导向MOFs的合成方法,其特征在于:有机配体通过弱作用力先形成氢键有机框架材料,紧接着将金属离子填充插入该框架,最终形成MOFs。

2.根据权利要求1所述的基于配体导向MOFs的合成方法,其特征在于:所述有机配体为TCPP,该法采用溶剂热法,并使用DMF作为溶剂,乙酸作为调节剂。

3.根据权利要求1所述的基于配体导向MOFs的合成方法,其特征在于:所述金属离子为Y、Nd、Dy、Ho、Ce、Eu、Tb、La、Gd、Lu、Yb、Sc、In、Ga。

4.根据权利要求1所述的基于配体导向MOFs的合成方法,其特征在于包括以下步骤:

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【技术特征摘要】

1.一种基于配体导向mofs的合成方法,其特征在于:有机配体通过弱作用力先形成氢键有机框架材料,紧接着将金属离子填充插入该框架,最终形成mofs。

2.根据权利要求1所述的基于配体导向mofs的合成方法,其特征在于:所述有机配体为tcpp,该法采用溶剂热法,并使用dmf作为溶剂,乙酸作为调节剂。

3.根据权利要求1所述的基于配体导向mofs的合成方法,其特征在于:所述金属离子为y、nd、dy、ho、ce、eu、tb、la、gd、lu、yb、sc、in、ga。

4.根据权利要求1所述的基于配体导向mofs的合成方法,其特征在于包括以下步骤:

5.根据权利要求1所述的基于配体导向mofs的合成方法,其特征在于步骤①中超声5分钟;步骤②中加热温度为80℃-120℃,...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘欣欣陈培灿赖晓霞梁雪雪吴东琪
申请(专利权)人:广西大学
类型:发明
国别省市:

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