Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种Ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法，以化学式为xCaO‑yMO‑zAl<subgt;3</subgt;O<subgt;2</subgt;‑kNO<subgt;2</subgt;(M为Mg或者Zn；N为Si或者Ge)的化合物制得，其主晶相的化学表达式为Ca<subgt;4</subgt;MAl<subgt;2</subgt;N<subgt;3</subgt;O<subgt;14</subgt;(M为Mg或者Zn；N为Si或者Ge)。采用上述方式制备的Ca基低介微波介质陶瓷，克服了现有技术中合成低介微波介质陶瓷时存在的缺陷，制得的Ca基低介微波介质陶瓷兼具低介电常数和高品质因数的特征，具有合成工艺简单、主晶相成分稳定的优点，是一种适用于毫米波通讯的低介微波介质陶瓷材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低介微波介质陶瓷，尤其涉及一种ca基低介微波介质陶瓷及其制备方法。

技术介绍

1、随着通信技术的飞速发展，传统的金属腔体滤波器、谐振器、波导等元件由于尺寸大、介电损耗高、热稳定性差等问题已经无法满足现代通信的需要。高介电常数微波介质陶瓷材料制作的微波元件虽能满足器件的小型化要求，但高的介电损耗和较差的热稳定性限制了其在高频领域的应用。高介电常数微波介质陶瓷已经难以满足现阶段通信的高速、低时延和高热稳定性需求，急需开发低介电常数(<15)且品质因数高的新型陶瓷材料以满足高频通信。特别是即将到来的毫米波和太赫兹通讯，对低介电常数的微波介质材料需求巨大。

2、硅酸盐和锗酸盐由于具有大量的硅氧和锗氧四面体结构，且si-o键和ge-o键的键强和共价比较高，使得硅酸盐和锗酸盐陶瓷展现出较低的介电常数，稳定的四面体链结构和高的离子键共价比也使得硅酸盐和锗酸盐的品质因数较高，为了丰富低介微波介质陶瓷种类、开发出更多满足高频通信的高性能、低成本的全系列低介微波介质陶瓷，有必要在硅酸盐和锗酸盐陶瓷体系中持续探索兼具低介电常数和高品质因数的新型微本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Ca基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述Ca基低介微波介质陶瓷采用化学式为xCaO-yMO-zAl3O2-kNO2的化合物制得；其中，3.5≤x≤4.5，0.5≤y≤1.5，1.5≤z≤2.5，2≤k≤4，且所述Ca基低介微波介质陶瓷的主晶相的化学表达式为Ca4MAl2N3O14；其中，M为Mg或者Zn；N为Si或者Ge。

2.根据权利要求1所述的Ca基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述Ca基低介微波介质陶瓷的介电常数εr为8.3～9.6，品质因数Q×f为6000～13400GHz。

3.根据权利要求1所述的Ca基低介微波介质陶瓷，其特征在于，M为Mg，N...

【技术特征摘要】

1.一种ca基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述ca基低介微波介质陶瓷采用化学式为xcao-ymo-zal3o2-kno2的化合物制得；其中，3.5≤x≤4.5，0.5≤y≤1.5，1.5≤z≤2.5，2≤k≤4，且所述ca基低介微波介质陶瓷的主晶相的化学表达式为ca4mal2n3o14；其中，m为mg或者zn；n为si或者ge。

2.根据权利要求1所述的ca基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述ca基低介微波介质陶瓷的介电常数εr为8.3～9.6，品质因数q×f为6000～13400ghz。

3.根据权利要求1所述的ca基低介微波介质陶瓷，其特征在于，m为mg，n为ge，x＝4，y＝1，z＝2，k＝3。

4.一种权利要求1-3中任一权利要求所述的ca基低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的ca基低介微波介质陶瓷的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪胜祥，杜康，李成云，周梦蝶，刘哲宇，温泰来，罗雨露，乔懋龙，
申请(专利权)人：武汉纺织大学，
类型：发明
国别省市：