具有一个或多个集成热电装置的光学移相器制造方法及图纸

技术编号:41994694 阅读:14 留言:0更新日期:2024-07-12 12:20
本发明专利技术涉及具有一个或多个集成热电装置的光学移相器,包括光学移相器的结构以及形成包括光学移相器的结构的方法。该结构包括光学移相器,该光学移相器包括具有第一分支和与该第一分支横向间隔开的第二分支的波导芯。该结构还包括热电装置,该热电装置包括第一多个柱和第二多个柱,该第二多个柱在串联电路中与该第一多个柱交替。该第一多个柱和该第二多个柱邻近该波导芯的该第一分支设置,该第一多个柱包括n型半导体材料,并且该第二多个柱包括p型半导体材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光子芯片,更具体地,涉及包括光学移相器的结构以及形成包括光学移相器的结构的方法。


技术介绍

1、光子芯片被用在许多应用和系统中,包括但不限于数据通信系统和数据计算系统。光子芯片将光学组件和电子组件集成到一个统一的平台中。除其他因素外,通过将两种类型的组件集成在同一芯片上可以减少布局面积、成本和操作开销。

2、光子芯片可以包括用于调制在波导芯中传播的光的相位的光学移相器。马赫-曾德干涉仪(mach-zehnder interferometer)是一种移相器,它将传播的光分成一对光信号,这对光信号相对彼此进行相位调制,然后重新组合。电光移相器可用于在射频信号的控制下调制传播光的相位。

3、需要包括光学移相器的改进结构以及形成包括光学移相器的结构的方法。


技术实现思路

1、在本专利技术的一个实施例中,一种结构包括光学移相器,该光学移相器包括具有第一分支和与该第一分支横向间隔开的第二分支的波导芯。该结构还包括热电装置,该热电装置包括第一多个柱和第二多个柱,该第二多个柱在串联电路中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结构,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:

3.如权利要求2所述的结构,其特征在于,还包括:

4.如权利要求3所述的结构,其特征在于,还包括:

5.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该n型半导体材料包括碲化铋,并且该p型半导体材料包括碲化锑。

6.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该n型半导体材料包括n型硅,并且该p型半导体材料包括p型多晶硅或p型多晶硅锗。

7.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:

8.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:...

【技术特征摘要】

1.一种结构,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:

3.如权利要求2所述的结构,其特征在于,还包括:

4.如权利要求3所述的结构,其特征在于,还包括:

5.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该n型半导体材料包括碲化铋,并且该p型半导体材料包括碲化锑。

6.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该n型半导体材料包括n型硅,并且该p型半导体材料包括p型多晶硅或p型多晶硅锗。

7.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:

8.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:

9.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第一多个柱和该第二多个柱被布置成多个相邻对,并且还包括:

10.如权利要求9所述的结构,其特征在于,还包括:

11.如权利要求9所述的结构,其特征在于,还包括:

12.如权利要求9所述的结构,其特征在于,该波导芯具有纵向轴线、第一侧面和与该第一侧面相对的第二侧面,并且该第一多个柱和该第二多个柱的该多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:夫厚尔·杰恩卞宇生S·M·潘迪阿卜杜勒萨拉姆·阿博克塔夫R·P·斯里瓦斯塔瓦
申请(专利权)人:格芯美国集成电路科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1