硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜及其设计方法、制备方法技术

本发明专利技术提供一种硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜，膜系结构包括依次设于硫系玻璃基底表面的Y<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层、第一Ge层、第一ZnS层、第二Ge层、第二ZnS层、第三Ge层、第三ZnS层、YbF<subgt;3</subgt;层、第四ZnS层和LaF<subgt;3</subgt;层。硫系玻璃在红外长波段（8～12μm）的该高耐久性低反射率膜，不仅牢固性强、能抵抗中度摩擦，而且反射率较低；此外，还提供该低反射率薄膜的设计方法及制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于红外镀膜，具体涉及一种硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、硫系玻璃作为红外透镜材料不仅在高低温度环境中有着优良成像表现，相比其它红外材料硫系玻璃也是最具有性价比的材料之一，随着时代的发展硫系玻璃的各类加技术也在突飞猛进，市场需求也在不断增大。

2、硫系玻璃镜片具有复杂的应力表现导致膜层牢固性差，使得研究者需不断地更新改善工艺。传统的硫系玻璃基底膜系设计较为繁琐复杂且设计优化精度较低，相同的硫系玻璃基底8-12μm波段因膜层设计方法的差异性，普遍出现镜片上制备出来的膜层透光干涉能力未能到达最佳状态，且膜层耐久性也不足等问题。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本申请提供一种硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜及其设计方法和制备方法。

2、为实现上述目的，本申请提出如下解决方案：

3、第一方面，提供一种硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜，膜系结构包括依次设于硫系玻璃基底上的y2o3层、第一ge层、第一zns层、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜，其特征在于，膜系结构包括依次设于硫系玻璃基底表面的Y2O3层、第一Ge层、第一ZnS层、第二Ge层、第二ZnS层、第三Ge层、第三ZnS层、YbF3层、第四ZnS层和LaF3层。

2.如权利要求1所述的硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜，其特征在于，所述Y2O3层的厚度为20nm，第一Ge层的厚度为196.77nm，第一ZnS层的厚度为217.15nm，第二Ge层的厚度为704.30nm，第二ZnS层的厚度为249.49nm、第三Ge层的厚度为245.46nm，第三ZnS层的厚度为425nm，YbF3层的厚度为885...

【技术特征摘要】

1.一种硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜，其特征在于，膜系结构包括依次设于硫系玻璃基底表面的y2o3层、第一ge层、第一zns层、第二ge层、第二zns层、第三ge层、第三zns层、ybf3层、第四zns层和laf3层。

2.如权利要求1所述的硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜，其特征在于，所述y2o3层的厚度为20nm，第一ge层的厚度为196.77nm，第一zns层的厚度为217.15nm，第二ge层的厚度为704.30nm，第二zns层的厚度为249.49nm、第三ge层的厚度为245.46nm，第三zns层的厚度为425nm，ybf3层的厚度为885.36nm，第四zns层的厚度为185nm，laf3层的厚度为75nm；

3.如权利要求1或2所述的硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜的设计方法，其特征在于，包括：

4.如权利要求1或2所述的硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

5.如权利要求4所述的硫系玻璃基底8～12μm耐久性低反射率薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述抽真空的本底真空度为9.0×10-4～1.0×10-3pa；所述预热的温度为120～130℃；所述预热的时间为20～30分钟。

6.如权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宇轩，刘克武，王振，梁献波，尹士平，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：