本发明专利技术公开多层结构的可调双宽带太赫兹吸收器，包括有M*N个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元，M*N个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元呈M*N二维分布，其中M和N都是正整数；每个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元包括有自上至下依次设置的顶部二氧化钒层、第一介质层、中间二氧化钒层、第二介质层及金属反射层；二氧化钒层、第一介质层、中间二氧化钒层、第二介质层及金属反射层的形状均为正方形，顶部二氧化钒层的边长小于其余层的边长；中间二氧化钒层、第一介质层、第二介质层及金属反射层的边长相等。该太赫兹吸收器在两个频率范围内同时实现高吸收、动态可调谐且结构简单。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太赫兹波，具体涉及多层结构的可调双宽带太赫兹吸收器。
技术介绍
1、太赫兹(terahertz，简称thz)波一般指频率在0.1～10thz的电磁波。由于其能量低，穿透性强以及独特的频率和波长，太赫兹波及其相关技术的应用成为各个领域的研究热点。太赫兹吸收器作为太赫兹应用的基础性功能器件被广泛应用于探测器、频谱成像、隐身等领域。
2、基于超材料的太赫兹吸收器是一种可以对入射太赫兹波实现高效吸收的器件。主要的原理是利用不同的损耗机制，使太赫兹波转化为热能或者其它形式的能量，最终达到吸收太赫兹波的效果。在各种各样的吸收器中，基于超材料结构的吸收器在近年得到了国内外学者的广泛关注。超材料吸收器与传统的吸收器相比，具有小体积、高吸收率和易集成等特点。现在的吸收器是采用堆叠多层的结构或者在同一平面内使用多个不同尺寸的谐振结构来实现宽带吸收，结构复杂，制作加工困难，并且器件一旦确定其吸收功能不可调，制约了吸收器的应用，因此迫切需要研究出一种结构简单、制作方便、灵活可调谐的太赫兹宽带吸收器满足太赫兹实际应用的需要。
r/>技本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.多层结构的可调双宽带太赫兹吸收器，其特征在于，包括有M*N个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元，M*N个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元呈M*N二维分布，其中M和N都是正整数；每个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元包括有自上至下依次设置的顶部二氧化钒层(1)、第一介质层(2)、中间二氧化钒层(3)、第二介质层(4)及金属反射层(5)；
2.根据权利要求1所述的多层结构的可调双宽带太赫兹吸收器，其特征在于，顶部二氧化钒层(1)的边长P1为60μm-100μm，厚度t5为0.03μm-0.2μm；中间二氧化钒层(3)的边长为175μm-185μm，厚度t3为0.03μm-0...
【技术特征摘要】
1.多层结构的可调双宽带太赫兹吸收器，其特征在于，包括有m*n个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元，m*n个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元呈m*n二维分布，其中m和n都是正整数；每个多层结构的可调双宽带太赫兹吸收单元包括有自上至下依次设置的顶部二氧化钒层(1)、第一介质层(2)、中间二氧化钒层(3)、第二介质层(4)及金属反射层(5)；
2.根据权利要求1所述的多层结构的可调双宽带太赫兹吸收器，其特征在于，顶部二氧化钒层(1)的边长p1为60μm-100μm，厚度t5为0.03μm-0.2μm；中间二氧化钒层(3)的边长为175μm-185μm，厚度t3为0.03μm-0.2μm。
3.根据权利要求1所述的多...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔真，柳南，张毅泽，张佳豪，张爽，王璐，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。