一种MEMS压电发声单元、MEMS压电扬声器及MEMS压电发声单元的制备方法技术

本发明专利技术涉及MEMS压电技术领域，尤其是涉及一种MEMS压电发声单元、MEMS压电扬声器及MEMS压电发声单元的制备方法，该MEMS压电发声单元包括：衬底，衬底的背部刻蚀有空腔，衬底上刻蚀有凹槽；振膜，设置于衬底上，振膜开设有开口。本申请提供的MEMS压电发声单元在衬底上开设有凹槽，有助于释放压电复合单元和振膜的残余应力，刻蚀凹槽并用干膜覆盖和/或填充可以降低振膜的质量，从而提高振膜振动的偏移量、提高了输出声压等级，在相等压电驱动时，振膜的质量越低，加速度越高，在高频下实现高声压级SPL，同时干膜可以增加系统阻尼来降低其共振Q值，从而使得声压级曲线变得平缓，以及减少总谐波干扰THD。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mems压电，尤其是涉及一种mems压电发声单元、mems压电扬声器及mems压电发声单元的制备方法。

技术介绍

1、相较传统微型扬声器,利用(micro-electro-mechanical system)mems技术加工技术制造出来的压电式mems扬声器在结构上具有尺寸小、厚度薄等特点，产品可批量生产、全自动化组装具有成本的优势。且器件采用mems工艺，性能一致性好、功耗低，具有易于集成化与智能化等特点。在音质方面与线圈扬声器相比，改善了高频响应。因此，压电式mems扬声在实现批量化、微型化、高性能方面有更大优势。

2、为了使mems扬声器如mems麦克风一样得到更广泛的应用，业界致力于设小尺寸、高性能的mems扬声器。但由于基于硅基底和压电薄膜材料构成的器件在小尺寸与高的性能往往两者难以兼顾，在微型扬声器的应用中，mems器件尺寸小则有效驱动振膜面积小，难以输出较大的声压级spl。因此，在小尺寸、低驱动下，如何在全频范围(20hz～20khz)内甚至超过20khz获高的灵敏度，并减少总谐波干扰thd，满足mems压电扬声器应本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS压电发声单元，其特征在于，所述MEMS压电发声单元包括：

2.根据权利要求1所述的MEMS压电发声单元，其特征在于，所述压电复合单元包括：至少两个电极层和至少一个压电层，相邻的两个所述电极层之间设置有一个压电层。

3.根据权利要求2所述的MEMS压电发声单元，其特征在于，所述压电复合单元的外部设置有钝化层，所述钝化层用于将所述压电复合单元电气隔离，并且图形化小孔引出所述电极层至焊接盘PAD上。

4.根据权利要求1所述的MEMS压电发声单元，其特征在于，所述MEMS压电发声单元还包括缝隙，刻蚀于所述振膜与所述压电复合单元上。

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【技术特征摘要】

1.一种mems压电发声单元，其特征在于，所述mems压电发声单元包括：

2.根据权利要求1所述的mems压电发声单元，其特征在于，所述压电复合单元包括：至少两个电极层和至少一个压电层，相邻的两个所述电极层之间设置有一个压电层。

3.根据权利要求2所述的mems压电发声单元，其特征在于，所述压电复合单元的外部设置有钝化层，所述钝化层用于将所述压电复合单元电气隔离，并且图形化小孔引出所述电极层至焊接盘pad上。

4.根据权利要求1所述的mems压电发声单元，其特征在于，所述mems压电发声单元还包括缝隙，刻蚀于所述振膜与所述压电复合单元上。

5.根据权利要求1所述的mems压电发声单元，其特征在于，所述mems压电发声单元还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄湘俊，朱莉莉，罗士忠，肖晶晶，龚芝伊，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：