一种1T/2H-Sn-MoS2/SnS/SnS2金属/半导体多元异质结及其制备方法技术

本发明专利技术属于金属‑半导体异质结技术领域，公开一种1T/2H‑Sn‑MoS<subgt;2</subgt;/SnS/SnS<subgt;2</subgt;金属/半导体多元异质结及其制备方法。所述制备方法为：将钼酸盐与四价锡盐混合后进行水热合成，获得二价锡和四价锡共掺杂的MoO<subgt;3</subgt;纳米棒；随后将其与二硫化锡纳米片、硫脲和聚乙烯吡咯烷酮混合后进行水热反应，获得1T/2H‑Sn‑MoS<subgt;2</subgt;/SnS/SnS<subgt;2</subgt;金属/半导体多元异质结。本发明专利技术通过巧妙的将金属和半导体组合形成异质结和引入SnS形成np异质结，SnS为p型半导体，可以与SnS<subgt;2</subgt;生成np异质结，其中间层有较低的能带，因此电子很容易就由旁边的夹层注入，从而实现优越的电子传输性能，有助于提高电子器件的效率和性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属-半导体异质结，尤其涉及一种1t/2h-sn-mos2/sns/sns2金属/半导体多元异质结及其制备方法。

技术介绍

1、金属-半导体过渡金属硫族化物异质结表现出优越的电子传输、光学特性和催化活性，适用于多种应用，包括电池、光伏器件、催化剂等领域。

2、然而，在现有的异质结制备方法中，经典干、湿法转移技术是进行物理堆叠制备原子级平整且界面清晰范德瓦耳斯异质结的常用手段。但是在转移过程中，对过渡金属硫化物的光电性能影响很大，使得转移效果并不理想；这对过渡金属硫化物在光电器件领域的应用带来了很多困难，严重限制了金属-半导体过渡金属硫族化物异质结在电池、光伏器件和催化剂等领域的进一步应用和发展。

3、为此，本专利技术提供一种1t/2h-sn-mos2/sns/sns2金属/半导体多元异质结及其制备方法。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术中的不足，本专利技术提供一种1t/2h-sn-mos2/sns/sns2金属/半导体多元异质结及其制备方法。本专利技术在研究过程中发本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种1T/2H-Sn-MoS2/SnS/SnS2金属/半导体多元异质结的制备方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼酸盐为钼酸铵、七钼酸铵和四钼酸铵中的任意一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在制备所述二价锡和四价锡共掺杂的MoO3纳米棒时，所述钼酸盐、四价锡盐与水的用量比为0.35～0.45mmol:0.2～0.3mmol:20～23mL。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在制备所述1T/2H-Sn-MoS2/SnS/SnS2金属/半导体多元异质结时，所述二价锡和四价锡共掺杂的MoO3纳...

【技术特征摘要】

1.一种1t/2h-sn-mos2/sns/sns2金属/半导体多元异质结的制备方法，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼酸盐为钼酸铵、七钼酸铵和四钼酸铵中的任意一种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在制备所述二价锡和四价锡共掺杂的moo3纳米棒时，所述钼酸盐、四价锡盐与水的用量比为0.35～0.45mmol:0.2～0.3mmol:20～23ml。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在制备所述1t/2h-sn-mos2/sns/sns2金属/半导体多元异质结时，所述二价锡和四价锡共掺杂的moo3纳米棒、二硫化锡纳米片、硫脲、聚乙烯吡咯烷酮与水的用量比为3～5mg:15～25mg:200～500mg:50～110mg:20～40ml。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在制备所述二价锡和四价锡共掺杂的moo3纳米棒时，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋小红，卞萌，刘汉斌，郭智敏，王娅微，贾磊磊，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：