用于形成包括阈值电压调谐层的结构的方法和系统技术方案

公开了用于形成包括阈值电压调谐层的结构的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供处理反应物，以在衬底表面上形成处理表面，并在处理表面上沉积阈值电压调谐材料。另外或可替代地，示例性方法可以包括金属硅化物层的直接形成。另外或可替代地，示例性方法可以包括使用蚀刻剂。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体涉及半导体处理方法和系统的领域。更具体地，本公开涉及用于形成包括阈值电压调谐层的结构的方法和系统。

技术介绍

1、半导体器件(例如互补金属氧化物半导体(cmos)器件)的尺寸缩小已经导致集成电路的速度和密度显著提高。然而，传统的器件缩放技术面临着未来技术节点的重大挑战。

2、例如，一个挑战是找到合适的导电材料用作大规模cmos器件中的栅电极。可以使用各种栅极材料，例如金属，比如氮化钛层。然而，在一些情况下，当需要比氮化钛层获得的功函数值更高的功函数值时，例如在cmos器件的pmos区域中，需要用于栅电极的改进材料。这种材料可以包括相对较薄的阈值电压调谐材料层，以形成n-或p-偶极漂移区。

3、虽然这种阈值电压调谐层可以用于各种应用，但阈值电压调谐层的期望厚度可能难以控制。具体而言，与阈值电压调谐层的后续循环或批量沉积相比，阈值电压调谐层的最初几个沉积循环或初始厚度可能相对较高且难以控制。因此，尤其是随着器件的临界尺寸持续减小，需要用于形成阈值电压调谐层的改进的方法和系统

4、本部分中阐述的任何讨论，包括对问题和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成包括阈值电压调谐层的结构的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属处理前体包括选自铪、锆或铝中的一种或多种的金属。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属处理前体包含以下中的一种或多种：氯化铪(HfCl4)、四(乙基甲基氨基)铪(TEMAHf)、双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基Hf、氯化锆(ZrCl4)、四(乙基甲基氨基)锆(TEMAZr)、双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基Zr或三(二甲基氨基)(环戊二烯基)锆。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述衬底表面包含金属。

5.根据权利要求1所述的方法，...

【技术特征摘要】

1.一种形成包括阈值电压调谐层的结构的方法，该方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属处理前体包括选自铪、锆或铝中的一种或多种的金属。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属处理前体包含以下中的一种或多种：氯化铪(hfcl4)、四(乙基甲基氨基)铪(temahf)、双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基hf、氯化锆(zrcl4)、四(乙基甲基氨基)锆(temazr)、双(甲基环戊二烯基)甲基甲氧基zr或三(二甲基氨基)(环戊二烯基)锆。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述衬底表面包含金属。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积阈值电压调谐材料的步骤包括循环沉积过程，该循环沉积过程包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述阈值电压调谐材料反应物去除所述处理表面上的处理反应物的配体。

7.一种形成包括阈值电压调谐层的结构的方法，该方法包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述含碳处理前体包括氨基硅烷、烷基胺和甲脒中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述含碳处理前体包括酰卤或烷基二酰卤中的一种或多种。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·德泽拉，M·E·吉文斯，E·J·C·刘，E·J·希罗，F·唐，M·图米恩，E·E·托伊斯，A·伊利贝里，T·伊万诺娃，P·马，G·赵，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：