【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种半导体装置。更具体地，实施例涉及一种dram(动态随机存取存储器)装置。
技术介绍
1、在半导体装置中，存储器单元可以形成在存储器单元区域中，构成核芯/外围电路的晶体管可以形成在核芯/外围区域中。包括在存储器单元中的位线结构可以形成为具有低电阻。形成在核芯/外围电路中的晶体管可以形成为具有目标电特性。
技术实现思路
1、示例实施例提供了一种具有目标特性的半导体装置。
2、根据示例实施例，一种半导体装置包括：基底，包括单元区域和核芯/外围区域；位线结构，设置在单元区域的基底上，并且包括彼此堆叠的多晶硅结构、阻挡图案、金属图案和覆盖图案；以及栅极结构，位于核芯/外围区域的基底上，栅极结构包括彼此堆叠的栅极绝缘图案、多晶硅图案、含碳图案、阻挡结构、金属图案和覆盖图案。
3、根据示例实施例，一种半导体装置包括：基底，包括单元区域和核芯/外围区域；掩埋栅极结构，设置在位于单元区域的基底处的栅极沟槽中，并且在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；位线结构，设置在掩埋...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
11.根据权利要求9所述的半导体装置，
12.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，
6.根据权利要求1所述的半导体装置，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，
9.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
11...
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