【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻工艺，具体是指一种适用于多种材料的光刻工艺。
技术介绍
1、光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。用照相复印的方法将掩模版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂。
2、光刻工艺目前还有着很多可改进的空间，现提出一种适用于多种材料的光刻工艺。
技术实现思路
1、为了解决上述
技术介绍
中提出的问题，本专利技术提供了一种适用于多种材料的光刻工艺，
2、本专利技术提供的技术方案为：一种适用于多种材料的光刻工艺，包括以下步骤：
3、s1、微粒清除；
4、s2、脱水烘焙；
5、s3、晶圆涂底胶；
6、s4、旋转涂胶；
7、s5、软烘；
8、s6、对准和曝光；
9、s7、曝光后烘烤；
10、s8、书法撰写；
11、s9、影印传输至电脑；
12、s10、显影；
13、s11、激光刻蚀；
...【技术保护点】
1.一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，所述S1中微粒清除包括高压氮气吹除、化学湿法清洗、高压水流喷洗。
3.根据权利要求1所述的一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，所述S3中晶圆涂底胶包括在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
4.根据权利要求1所述的一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，所述S4中旋转涂胶包括分滴、旋转铺开、旋转甩掉、溶剂挥发。
5.根据权利要求1所述的一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，所述s1中微粒清除包括高压氮气吹除、化学湿法清洗、高压水流喷洗。
3.根据权利要求1所述的一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，所述s3中晶圆涂底胶包括在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
4.根据权利要求1所述的一种适用于多种材料的光刻工艺，其特征在于，所述s4中旋转涂胶包括分滴、旋转铺开、旋转甩掉、溶剂挥发。
5....
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