【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，尤其涉及一种声表面波谐振器、声表面波滤波器及电子装置。
技术介绍
1、声表面波(saw)谐振器广泛应用于移动通讯设备中，具有插损低、宽带宽、体积小、低成本、可批量生产等优点。但是，声表面波谐振器在主模激发的同时，还会产生不必要的高阶横模，而高阶横模产生的杂散会影响谐振器的性能。另外，相关技术中的谐振器将母线设置在电极指的两端，导致谐振器的尺寸较大。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种声表面波谐振器、声表面波滤波器及电子装置，能够减小谐振器的尺寸，且抑制高阶横模产生的杂散。
2、第一方面，本申请提供了一种声表面波谐振器，包括：
3、衬底，包括器件区，所述器件区包括沿第一方向相对设置的第一边缘区和第二边缘区；
4、位于所述衬底沿第二方向一侧且位于所述器件区的电极层，所述电极层包括多个沿所述第一方向延伸且沿第三方向间隔分布的电极指，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向互相垂直，多个所述电...
【技术保护点】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括多个所述第一通孔电极和多个所述第二通孔电极；
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，每相邻至少一个所述第一电极指构成一个第一电极指组，每相邻至少一个所述第二电极指构成一个第二电极指组，所述第一电极指组和所述第二电极指组沿所述第三方向交替分布。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述介质层至少覆盖所述器件区。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述衬底还包括...
【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括多个所述第一通孔电极和多个所述第二通孔电极；
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，每相邻至少一个所述第一电极指构成一个第一电极指组，每相邻至少一个所述第二电极指构成一个第二电极指组，所述第一电极指组和所述第二电极指组沿所述第三方向交替分布。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述介质层至少覆盖所述器件区。
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述衬底还包括位于所述器件区周侧的外围区，所述外围区至少位于所述第一边缘区和/或第二边缘区的外侧，所述介质层还覆盖部分所述外围区。
6.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述器件区还包括位于所述第一边缘区与所述第二边缘区之间的主体区；
7.根据权利要求1-6任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括位于所述介质层内部的第一电极线，所述第一电极线位于所述第一边缘区并沿所述第三方向延伸；
8....
【专利技术属性】
技术研发人员：福原宽则，谢尔盖·巴苏库，小野直大，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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