【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于超声换能器，具体涉及电容式超声换能器及其制备方法。
技术介绍
1、近年来人工智能、物联网、大数据等领域快速发展，人们对智能生活的关注普遍提高，智能生活一方面需要互联网和处理器来传输和处理数据，另一方面更需要传感器从环境中获取数据。传统传感器体积较大、功耗较高、成本较高，大批量生产时具有一定局限性，与现代生活对节能、轻便、高度集成的要求相悖，mems传感器的出现弥补了传统传感器的不足，体积小，功耗低，精度高，其应用越来越广，在工业界、电子产品、生物医学、航空航天等领域占有十分重要的地位。
2、近年来，得益于mems技术的崛起，研究人员开始采用mems工艺加工方法设计制作超声波换能器。电容式微机械超声换能器cmut(capacitive micromachined ultrasoundtransducer)具有友好的阻抗匹配特性、更大的带宽及更小的体积，具有独立电连接的大型阵列以及与微电子电路天然集成等优势，受到研究人员和业界的青睐。
3、cmut阵元由许多cmut微元构成，其中每个cmut微元由上下电...
【技术保护点】
1.一种电容式超声换能器，其特征在于，所述电容式超声换能器包括：
2.根据权利要求1所述的电容式超声换能器，其特征在于，所述振膜在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度大于所述凹陷结构在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度。
3.根据权利要求2所述的电容式超声换能器，其特征在于，所述振膜在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度与所述凹陷结构在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度的差值为2-3μm。
4.根据权利要求1所述的电容式超声换能器，其特征在于，所述电容式超声换能器还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一基底与所述第一电极之间。
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【技术特征摘要】
1.一种电容式超声换能器，其特征在于，所述电容式超声换能器包括：
2.根据权利要求1所述的电容式超声换能器，其特征在于，所述振膜在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度大于所述凹陷结构在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度。
3.根据权利要求2所述的电容式超声换能器，其特征在于，所述振膜在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度与所述凹陷结构在沿着所述第一基底的延伸方向上的长度的差值为2-3μm。
4.根据权利要求1所述的电容式超声换能器，其特征在于，所述电容式超声换能器还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述第一基底与所述第一电极之间。
5.根据权利要求4所述的电容式超声换能器，其特征在于，形成所述第一基底的材料、形成所述第二基底的材料包括聚酰亚胺；
6.根据权利要求1所述的电容式超声换能器，其特征在于，所述电容式超声换能器满足以下条件的至少之一：
【专利技术属性】
技术研发人员：孟德天，张锋，侯东飞，崔钊，董立文，刘文渠，李禹桥，吕志军，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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