一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构制造技术

本技术提供一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架、碗杯、第一LED芯片、第二LED芯片，第三LED芯片、第四LED芯片、负极功能区、正极焊接区、陶瓷隔离带；负极功能区包括第一负极功能区、第二负极功能区、第三负极功能区、第四负极功能区，第一LED芯片对应安装在第一负极功能区上，第二LED芯片对应安装在第二负极功能区上，第三LED芯片对应安装在第三负极功能区上，第四LED芯片对应安装在第四负极功能区上；第一LED芯片、第二LED芯片，第三LED芯片、第四LED芯片处于安装状态时构成田字形状；正极焊接区包括第一正极焊线区、第二正极焊线区、第三正极焊线区、第四正极焊接区。内部空间利用率更高，芯片分布更均匀，使出光效率更高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及led，尤其涉及一种高功率高光密度型led四色支架封装结构。

技术介绍

1、中国授权公告号为cn218160368 u，授权公告日为2022年12月27日，其公开了一种四色led灯珠结构，其包括底座，所述底座上开设有安装槽，所述安装槽内设置有第一安装区和第二安装区，所述第一安装区内且位于安装槽槽底上设置有红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片，所述第一安装区设置有透明胶，所述第二安装区且位于安装槽槽底上设置有发光芯片，所述第二安装区设置有荧光胶。该现有技术存在的缺陷是：设置第一安装区和第二安装区，使，第一安装区内设置3组焊盘组，第二安装区设置有1组焊盘组，焊盘组包括两个并排设置的焊盘，红光芯片、蓝光芯片以及绿光芯片依次设置在对应的焊盘上，发光芯片设置在第二安装区内一个焊盘上，将这种结构应用在3535型号的led上，采用这种并列放置的结构，导致安装槽内存在较大范围的可利用空间，从而直接影响出光率。鉴于这种情况，亟待改善。

技术实现思路

1、基于此，本技术的目的在于提供一种高功率高光密度型led四色支架封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架(23)、安装在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的第一LED芯片(10)、第二LED芯片(11)、第三LED芯片(13)、第四LED芯片(12)、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的负极功能区、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的正极焊接区、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上并且将负极功能区以及正极焊接区隔离开的陶瓷隔离带(24)；

2.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构，其特征在于：所述第一LED芯片(10)、第二LED芯片(11)，第三LED芯片(13)、第四LED芯片(12)采用一...

【技术特征摘要】

1.一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架(23)、安装在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的第一led芯片(10)、第二led芯片(11)、第三led芯片(13)、第四led芯片(12)、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的负极功能区、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上的正极焊接区、设置在所述氮化铝陶瓷支架(23)上并且将负极功能区以及正极焊接区隔离开的陶瓷隔离带(24)；

2.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述第一led芯片(10)、第二led芯片(11)，第三led芯片(13)、第四led芯片(12)采用一串联三并连的电路连接。

3.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述第一led芯片(10)、第二led芯片(11)，第三led芯片(13)、第四led芯片(12)的尺寸均设置为38mil*38mil。

4.根据权利要求1所述的一种高功率高光密度型led四色支架封装结构，其特征在于：所述第一负极功能区(14)上与所述第一led芯片(10)对应的位置的尺寸设置为长1.03mm，宽1.03mm；所述第二负极功能区(22)上...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘三林，陈小燕，程鸣，周元浙，邓志明，
申请(专利权)人：东莞市立德达光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：