孔阵列层结构和孔阵列层结构的制备方法技术

技术编号:41962642 阅读:25 留言:0更新日期:2024-07-10 16:45
本申请公开孔阵列层结构和孔阵列层结构的制备方法,孔阵列层结构包括基板、第一限定层、第二限定层和改性区域,基板一侧设有电极;第一限定层设置于基板,第一限定层与电极位于基板的同一侧,第一限定层上设有沿厚度方向贯穿第一限定层的第一孔部,电极在基板的正投影与第一孔部在基板的正投影重叠或位于第一孔部在基板的正投影之内;第二限定层设置于第一限定层背离基板的一侧,第二限定层上设有沿厚度方向贯穿第二限定层的第二孔部,第一孔部在基板的正投影位于第二孔部在基板的正投影之内;改性区域通过紫外光处理呈亲水性,至少部分电极属于改性区域。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于生物检测,尤其涉及孔阵列层结构及制备方法。


技术介绍

1、纳米孔检测技术,具有高通量、高集成、平行化、多样化和自动化等优点,在蛋白质检测、基因测序和纳米颗粒的表征等领域具有广泛的应用。例如当进行基因测序时,基因测序装置的薄膜中设置有纳米孔,单链脱氧核糖核酸(deoxyribo nucleic acid,dna)分子穿过纳米孔时,由于不同碱基与纳米孔的作用不同,从而引起纳米孔的电阻变化,进而引起流经纳米孔的电流变化。当纳米孔的两侧具有恒定电压时,可以检测到不同碱基经过纳米孔中电流的变化,从而反映出通过纳米孔的dna分子的碱基排列情况。

2、纳米孔测序芯片(下文简称芯片)中包括孔阵列,阵列中的单个孔为独立的测序单元,单张芯片上孔阵列中所形成的薄膜的排布数量和制备成功率对检测的通量至关重要。一种相关技术的芯片制备方法中,采用在芯片的孔阵列层结构上,通过微流控技术在两个电解质溶液之间形成两亲分子(磷脂、嵌段共聚物等)薄膜。该种方法为了提高两亲分子薄膜的良率,需要使孔阵列中底部微电极表面呈亲水性,上部光刻胶表面呈亲油性,而现有技术无法实现孔阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种孔阵列层结构,包括:

2.根据权利要求1所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述电极在所述基板的正投影与所述第一孔部在所述基板的正投影重叠,所述电极在所述基板的正投影与所述改性区域在所述基板的正投影重叠或位于所述改性区域在所述基板的正投影之内。

3.根据权利要求1所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述电极在所述基板的正投影位于所述第一孔部在所述基板的正投影之内;所述基板朝向所述第一限定层一侧的表面具有第一叠置区域和第一外露区域,在所述厚度方向上,所述第一叠置区域为所述基板朝向所述第一限定层一侧的表面被所述第一限定层覆盖的区域,所述第一外露区域包括所述基板朝向所述...

【技术特征摘要】

1.一种孔阵列层结构,包括:

2.根据权利要求1所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述电极在所述基板的正投影与所述第一孔部在所述基板的正投影重叠,所述电极在所述基板的正投影与所述改性区域在所述基板的正投影重叠或位于所述改性区域在所述基板的正投影之内。

3.根据权利要求1所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述电极在所述基板的正投影位于所述第一孔部在所述基板的正投影之内;所述基板朝向所述第一限定层一侧的表面具有第一叠置区域和第一外露区域,在所述厚度方向上,所述第一叠置区域为所述基板朝向所述第一限定层一侧的表面被所述第一限定层覆盖的区域,所述第一外露区域包括所述基板朝向所述第一限定层一侧的表面被所述第一孔部暴露的区域,所述第一孔部在所述基板的正投影与所述第一外露区域在所述基板的正投影重叠;

4.根据权利要求3所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述第一限定层上还设有从所述第一孔部的侧壁沿背离所述第一孔部的方向延伸的第一齿槽,所述第一齿槽沿所述第一孔部周向设置有多个,并且具有在所述第一孔部轮廓处与所述第一孔部相连通的开口,所述第一外露区域进一步包括所述基板朝向所述第一限定层一侧的表面被所述第一齿槽暴露的区域,所述第一孔部在所述基板的正投影、所述第一齿槽在所述基板的正投影之和与所述第一外露区域在所述基板的正投影重叠;

5.根据权利要求4所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述第一孔部在所述基板的正投影位于所述改性区域在所述基板的正投影之内,所述第一齿槽在所述基板的正投影与所述改性区域在所述基板的正投影至少部分交叠,所述基板朝向所述第一限定层一侧的表面被所述第一齿槽暴露的至少部分区域属于所述改性区域。

6.根据权利要求1所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述第一限定层朝向所述第二限定层一侧的表面具有第二叠置区域和第二外露区域,在所述厚度方向上,所述第二叠置区域为被所述第二限定层覆盖的区域,所述第二外露区域包括所述第一限定层朝向所述第二限定层一侧的表面被所述第二孔部暴露的区域,所述第二孔部在所述基板的正投影与所述第二外露区域在所述基板的正投影重叠;

7.根据权利要求6所述的孔阵列层结构,其特征在于,所述第二限定层上还设有从所述第二孔部的侧壁沿背离所述第二孔部的方向延伸的第二齿槽,所述第二齿槽沿所述第二孔部周向设置有多个,并且具有在所述第二孔部轮廓处与所述第二孔部相连通的开口,所述第二外露区域进一步包括所述第一限定层朝向所述第二限定层一侧的表面被所述第二齿槽暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭明钊刘利冬张悠纳杨振伟
申请(专利权)人:北京齐碳科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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