【技术实现步骤摘要】
所公开技术的各个实施方式涉及图像感测装置及用于制造该图像感测装置的方法。
技术介绍
1、图像感测装置是指捕获光学图像并将其转换为电信号的半导体装置。随着计算机和通信行业的发展，在诸如智能电话、数码相机、游戏装置、物联网、机器人、安全摄像头、医疗微型摄像机之类的各种装置中，对高性能图像感测装置的需求正在不断增加。
2、最常见类型的图像感测装置是电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器(cis)。ccd图像传感器在噪声特性和图像质量方面比cmos图像传感器具有优势。然而，由于cmos图像传感器相对于ccd图像传感器具有包括例如驱动方案简单和各种扫描机制的某些优势，致使cmos图像传感器现在被广泛使用。另外，cmos图像传感器和信号处理电路可以利用cmos工艺技术集成到单个芯片中，使得能够在实现低功耗和低制造成本的同时使得电子装置小型化。cmos图像传感器的这些特性使这些传感器更适合在移动装置中实现。
技术实现思路
1、所公开的技术可以在一些实施方...
【技术保护点】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述场效应钝化层包括：
3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一介电层包括SiO2。
4.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第一高k介电层包括Al2O3。
5.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第二高k介电层包括HfO2。
6.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第二介电层包括SiO2。
7.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的每一个...
【技术特征摘要】
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述场效应钝化层包括：
3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一介电层包括sio2。
4.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第一高k介电层包括al2o3。
5.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第二高k介电层包括hfo2。
6.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第二介电层包括sio2。
7.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第一介电层和所述第二介电层中的每一个具有从至范围的厚度。
8.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
9.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一介电层、所述第二介电层和所述第三绝缘层中的每一个包括s...
【专利技术属性】
技术研发人员：金炳圭，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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