包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体制造中的光刻工艺中，对微细结构基板的埋入性优异，并且膜形成时的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，涉及应用了上述抗蚀剂下层膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。此外，也涉及用于用湿蚀刻药液进行半导体制造时的基板加工的保护膜。

技术介绍

1、在半导体制造中，在基板与形成在其上的抗蚀剂膜之间设置抗蚀剂下层膜，形成所希望的形状的抗蚀剂图案的光刻工艺是众所周知的。在专利文献1中，公开了含有具有3个环氧基的包含三嗪骨架的化合物、与包含二硫键的二羧酸化合物等的反应生成物的抗蚀剂下层膜形成用组合物。

2、此外，在半导体制造的光刻工艺中，在使用上述抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成抗蚀剂下层膜时，在烧成时来源于上述聚合物树脂、交联剂、交联催化剂等低分子化合物的升华成分(升华物)产生成为新的问题。这样的升华物在半导体器件制造工序中被附着、蓄积在成膜装置内，从而将装置内污染，其在晶片上作为异物而附着从而担心成为缺陷(defect)等的产生因素。因此，要求提出尽可能抑制这样的由抗蚀剂下层膜产生的升华物那样的新的下层膜组合本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述Z1由下述式(3)表示，

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述R15为碳原子数1～10的烷基或式(1)中的所述U所示的1价有机基。

4.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述R11和R12各自独立地为碳原子数1～10的烷基。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述X为-S-，Y为亚甲基。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层...

【技术特征摘要】

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂，

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述z1由下述式(3)表示，

3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述r15为碳原子数1～10的烷基或式(1)中的所述u所示的1价有机基。

4.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述r11和r12各自独立地为碳原子数1～10的烷基。

5.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述x为-s-，y为亚甲基。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含酸化合物和交联剂中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含表面活性剂。

8.一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，是由权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。

9.一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下，并且分子内包含2个以上氮原子和6个以上氧原子的化合物；以及有机溶剂，

10.根据权利要求9所述的保护膜形成用组合物，所述z1由下述式(3)表示，

11.根据权利要求9所述的保护膜形成用组合物，其进一步包含酸化合物和...

【专利技术属性】
技术研发人员：上林哲，远藤勇树，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：