【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶，具体地，涉及一种清洗方法。
技术介绍
1、目前，在通过直拉法拉制单晶硅棒时，须使用籽晶作为晶种进行提拉引晶。但是，拉制单晶的高温可能会导致籽晶的表面产生氧化(发黑、发彩)缺陷，若继续使用表面产生氧化缺陷的缺陷籽晶拉制单晶可能会造成例如，籽晶提拉引晶无法正常熔接调温、长晶成活率低、籽晶引放次数增加、浪费生产时间、籽晶长晶负重后断裂脱落等问题，因此，缺陷籽晶无法继续拉制单晶，须更换新籽晶，从而导致单晶制备的生产效率较低，生产成本较高。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种清洗方法，其能够提高单晶制备的生产效率，并能够降低单晶制备的生产成本。
2、为实现本专利技术的目的而提供一种清洗方法，包括步骤：
3、判断拉制单晶后具有氧化缺陷的缺陷籽晶是否满足再利用条件；
4、第一清洗，采用碱性溶液或酸性溶液作为清洗溶液对满足再利用条件的所述缺陷籽晶进行清洗；
5、第二清洗，采用酸性溶液或碱性溶液...
【技术保护点】
1.一种清洗方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述判断拉制单晶后具有氧化缺陷的所述缺陷籽晶是否满足再利用条件包括：
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗采用所述碱性溶液作为清洗溶液，所述第二清洗采用所述酸性溶液作为清洗溶液。
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括步骤：
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述碱性溶液包括氢氧化钠与水的溶液，和/或，所述酸性溶液包括氢氟酸与硝酸的溶液。
6.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
1.一种清洗方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述判断拉制单晶后具有氧化缺陷的所述缺陷籽晶是否满足再利用条件包括：
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗采用所述碱性溶液作为清洗溶液，所述第二清洗采用所述酸性溶液作为清洗溶液。
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括步骤：
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述碱性溶液包括氢氧化钠与水的溶液，和/或，所述酸性溶液包括氢氟酸与硝酸的溶液。
6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述氢氧化钠与所述水的重量比为1:5-3:5，和/或，所述氢氟酸与所述硝酸的体积比...
【专利技术属性】
技术研发人员：任杰，马玉花，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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