一种光固化3D打印用紫外低吸收SiC陶瓷粉体的制备方法技术

技术编号：41953856 阅读：18 留言：0更新日期：2024-07-10 16:40

本发明专利技术属于碳化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种光固化3D打印用紫外低吸收SiC陶瓷粉体的制备方法。为了解决现有技术中3D打印碳化硅成型精度的问题，本发明专利技术提供一种光固化3D打印用紫外低吸收SiC陶瓷粉体的制备方法包括：将SiC陶瓷粉体在惰性气氛中、800～1200℃下经过热处理，制备所述紫外低吸收SiC陶瓷粉体。本发明专利技术通过物理改性的手段，将粉体在特定的热处理制度下获得吸光度降低的，表面无二氧化硅杂质的亚微米级碳化硅粉。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳化硅陶瓷，涉及一种用于降低碳化硅粉末吸光度的方法，具体涉及一种光固化3d打印用紫外低吸收sic陶瓷粉体的制备方法。

技术介绍

1、碳化硅(sic)陶瓷，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域应用，日益受到人们的重视。近年来，航空航天、汽车等领域对碳化硅陶瓷部件提出了大型化、复杂化的新需求趋势。然而，传统的陶瓷材料成型方法包括干压成型、注射成型、流延成型、注浆成型等，在制备发动机喷嘴、襟翼、涡轮叶片、起落架舱等复杂、大型的陶瓷结构部件时存在很大困难。另一方面，陶瓷材料的高硬度、高脆性使其难以减材加工，因此急需寻找一种近净成型复杂结构的新技术。相对于传统成型、烧结方法的局限，3d打印技术可满足制造业对零件大型、复杂结构的需求。常见的陶瓷3d打印技术包括光固化成型(sla/dlp/lcd)、选区激光烧结成型(sls)、直写成型(diw)、分层制造成型(lom)等。其中，diw技术由于打印喷头管径的限制容易...

【技术保护点】

1.一种光固化3D打印用紫外低吸收SiC陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括：将SiC陶瓷粉体在惰性气氛中、800～1200℃下经过热处理，制备所述紫外低吸收SiC陶瓷粉体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的时间为10分钟～2小时。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气氛为氩气气氛；所述惰性气氛的气流量为2～3mL/min。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述SiC陶瓷粉体的粒径为亚微米级，优选为100nm～2μm，更优选为0.8μm～1μm。