一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料及其制备方法。该材料由SnO2，Zn2SnO4和B4C粉料组成，所述SnO2粉料和Zn2SnO4粉料的摩尔比为1:(0.2～0.5)，B4C粉料的摩尔添加量为SnO2粉料和Zn2SnO4粉料之和的0.05～0.3％。通过传统陶瓷制备工艺，即可获得一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料。本发明专利技术制备的低温烧结的SnO2基压敏陶瓷材料，与现有SnO2基压敏陶瓷相比，所需要的烧结温度更低，电性能更优异，工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到无机非金属领域的一种陶瓷材料，具体涉及一种低温烧结sno2基压敏陶瓷及其制备方法。

技术介绍

1、压敏陶瓷是一种重要的高技术功能材料，其自身电阻能够随外加电压的变化而变化，利用这种材料制作成的压敏电阻元件在一定电压范围内电阻呈现高阻态，当外加电压超出所限定的范围后，压敏电阻自身阻值迅速减小，通过的电流以指数方式急剧增大从而起到抑制电压脉冲的作用。压敏电阻的典型特征就是这种电流和电压之间的非线性关系。目前，压敏电阻已被广泛应用于各种过电压保护和稳压电路中。

2、在众多的压敏陶瓷中，sno2基压敏陶瓷是一种单相结构材料，具有较好的稳定性，应用较为广泛。其中的sno2-zn2sno4复合基压敏陶瓷，不需进行任何掺杂，就可以通过传统工艺获得致密的sno2-zn2sno4复合陶瓷，且该复合陶瓷材料具有压敏、介电双重特性，但是目前sno2-zn2sno4复合基压敏陶瓷的烧结温度较高，约为1300～1400℃，如cn 102643087 a(一种sno2-zn2sno4复合压敏陶瓷及制备方法)中烧结温度为1300℃，且制得的压敏陶瓷非线性系数本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述B4C粉料的摩尔添加量为SnO2粉料和Zn2SnO4粉料之和的0.1±0.05％，所述SnO2粉料和Zn2SnO4粉料的摩尔比为1:0.3；步骤(2)所述烧结温度为1150±20℃。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述球磨的粉料、球、酒精的质量比为1:2:1，转速为120±20rpm，球磨时间为12±2h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述烘干的温度为10...

【技术特征摘要】

1.一种低温烧结sno2基压敏陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述b4c粉料的摩尔添加量为sno2粉料和zn2sno4粉料之和的0.1±0.05％，所述sno2粉料和zn2sno4粉料的摩尔比为1:0.3；步骤(2)所述烧结温度为1150±20℃。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述球磨的粉料、球、酒精的质量比为1:2:1，转速为120±20rpm，球磨时间为12±2h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述烘干的温度为100～150℃，烘干时间为7～9h。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述粘结剂为聚乙烯醇溶液，所述聚乙烯醇溶液的添加量为干粉料的重量的...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢振亚，罗雨川，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：