形成孔洞性材料的方法技术

本发明专利技术为一种形成孔洞性材料的方法，是将一具有多孔隙的第一基材及一兼容该第一基材的牺牲材混合，使该牺牲材可渗入于第一基材的孔隙内，完成第一成品，再将该第一成品混合一第二基材，并将该第一成品与第二基材加热至牺牲材的汽化温度上，使该第二基材分子产生变化并因黏滞力增加无法进入第一基材的孔隙，且该些牺牲材受热产生汽化逸出该第一基材的孔隙，使第二基材无法渗入该第一基材的孔隙并形成第二成品，以保留第一基材的孔隙内的成份。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与一种封孔技术有关，尤其是指一种。
技术介绍
现今半导体工艺中，集成电路的组件尺寸持续微型化，亦增加电子讯号于金属联机间传送的时间延迟(RC delay)以及高频率下高功率散失，因此为了降低讯号传递的时间延迟，需应用多层金属导体联机的设计，此外，须应用具低电阻率的导线或低介电系数的绝缘材料，才能提升组件的操作速度，常用的低介电系数(low-k)材料，是将一低介电系数的多孔性无机质与有机质混合，由无机质渗杂于有机质内以降低其介电系数者以及降低热膨胀系数(Coefficient of thermal expansion)与增强机械强度。 惟，虽公知的无机质因内部具有多孔性含有空气，介电系数较低，但与该有机质混合时，该有机质会混入无机质的孔隙内，产生填孔现象，使无机质内的介电系数相对无法降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种。 为实现上述目的，本专利技术提供的，其步骤至少包括 (1)备置一多孔隙的第一基材、一第二基材及一相容该第一基材且不相容于第二基材的牺牲材； (2)将该第一基材及液态牺牲材混合，使该牺牲材在适当操作温度下完整包覆于第一基材的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成孔洞性材料的方法，其步骤至少包括：　（１）备置一多孔隙的第一基材、一第二基材及一相容该第一基材且不相容于第二基材的牺牲材；　（２）将该第一基材及液态牺牲材混合，使该牺牲材在适当操作温度下完整包覆于第一基材的孔隙内，完成第一成品；　（３）再将该第一成品与该第二基材混合，并将该第一成品及第二基材加热至该牺牲材的汽化温度，并配合第二基材所需的交联反应温度条件，此时，该些牺牲材受热汽化逸出该第一基材的孔隙，且该第二基材的因聚合反应所产生高黏度性，而使该第二基材包覆于该第一基材外侧，且该第一基材孔隙内的成份可以保留，而形成第二成品。

【技术特征摘要】
1、一种形成孔洞性材料的方法，其步骤至少包括(1)备置一多孔隙的第一基材、一第二基材及一相容该第一基材且不相容于第二基材的牺牲材；(2)将该第一基材及液态牺牲材混合，使该牺牲材在适当操作温度下完整包覆于第一基材的孔隙内，完成第一成品；(3)再将该第一成品与该第二基材混合，并将该第一成品及第二基材加热至该牺牲材的汽化温度，并配合第二基材所需的交联反应温度条件，此时，该些牺牲材受热汽化逸出该第一基材的孔隙，且该第二基材的因聚合反应所产生高黏度性，而使该第二基材包覆于该第一基材外侧，且该第一基材孔隙内的成份可以保留，而形成第二成品。2、依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法，其中，该第一基材为一无机质。3、依权利要求2所述的形成孔洞性材料的方法，其中，该无机质为含孔隙的二氧化硅、氧化铝、铝硅酸盐类、碳掺杂氧化物、氟化硅酸盐玻璃、碳酸钙、磷酸铝、砷酸铝、锗酸铝、黏土(高岭土、蒙脱土、云母粉)、玻璃纤维及碳纤维其中一种以上材质所构成。4、依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法，其中，该第二基材为一有机质。5、依权利要求4所述的形成孔洞性材料的方法，其中，该有机质可...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕志鹏，徐国原，徐幸铃，陈冠宇，洪西宗，高坂信夫，
申请(专利权)人：台湾信越矽利光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]