一种CMOS变异性源评估方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS变异性源评估方法。本发明专利技术首先获取晶圆上多个位置待评估器件栅极的关键尺寸数据；在线量测器件各项参数并绘制滚降曲线。其次根据已收集器件数据的分析，确认变异源种类；根据器件性能参数的波动情况，确认分析器件性能变异源的参数。然后基于变异源种类，对器件性能参数进行分解；使用协方差矩阵，对器件性能参数进行分析。最后结合参数特性限制条件，计算各个变异源在性能参数波动中的大小，完成评估。本发明专利技术通过统计的方法能够快速分析不同变异源对器件性能的影响，计算时间非常短，相对于仿真工具可以忽略。本发明专利技术无需使用3D‑TCAD计算工具，节约软件成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路，具体是一种cmos变异性源评估方法。

技术介绍

1、随着半导体工艺的特征尺寸进入纳米数量级，日趋复杂的硅基mos集成电路制造流程使得精确的工艺控制变得越来越困难，而芯片实际几何图形和纵向结构的不确定性导致器件的工作状态及其特性参数与设计目标产生显著偏离，产生工艺参数变化或工艺波动现象。而且这一现象随着持续缩小的特征尺寸愈趋严重，使电路的性能和成品率受到极大影响。因此，工艺波动引起的可制造性问题己成为纳米尺度ic设计和制造中亚待解决的技术瓶颈和重要挑战。

2、在物理上近似等距离绘制的mosfet的统计变化限制了vlsi电路的良率和性能，因此受到集成电路界的关注。随着技术规模的扩大，也必须做出相应的变化。有些变化可以通过更严格的过程控制来减少。然而，一些变化，如随机掺杂波动(rdf)可能是不可控制的，或者只能通过对制造方法进行彻底和昂贵的改变来控制。在进行这样的更改之前，谨慎的做法是看看rdf是否真的是个问题，要做到这一点，需要对rdf影响的大小进行准确的估计。

3、现有技术采用的方案是：首先确定待评估的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CMOS变异性源评估方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种CMOS变异性源评估方法，其特征在于：步骤2)中所述的参数包括阈值电压、饱和电流、电阻和电容。

3.根据权利要求1或2所述的一种CMOS变异性源评估方法，其特征在于：步骤2)中所述的绘制滚降曲线具体是：准备和待预测器件宽度相同而长度不同的器件，然后和待预测器件在同一片晶圆内加工，测出各个长度的器件性能，绘制滚降曲线。

4.根据权利要求1所述的一种CMOS变异性源评估方法，其特征在于：步骤3)中所述的变异源种类包括栅极长度变化，栅极粗糙度，栅氧化层厚度变化，栅极...

【技术特征摘要】

1.一种cmos变异性源评估方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种cmos变异性源评估方法，其特征在于：步骤2)中所述的参数包括阈值电压、饱和电流、电阻和电容。

3.根据权利要求1或2所述的一种cmos变异性源评估方法，其特征在于：步骤2)中所述的绘制滚降曲线具体是：准备和待预测器件宽度相同而长度不同的器件，然后和待预测器件在同一片晶圆内加工，测出各个长度的器件性能，绘制滚降曲线。

4.根据权利要求1所述的一种cmos变异性源评估方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王耀庭，高大为，许凯，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：