【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例总体上涉及半导体技术，并且更具体地，涉及一种包括以三维布置的存储单元的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、为了满足最近对存储器件的大容量和小型化的需求，已经提出了包括以三维堆叠的存储单元的三维(3-d)存储器件。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例涉及一种包括高度集成的存储单元的3-d半导体器件(在下文中，简称为半导体器件)以及用于制造该半导体器件的方法。
2、根据本专利技术的实施例，一种半导体器件包括：竖向导电线；水平层，该水平层从竖向导电线水平地定向；水平导电线，该水平导电线与水平层交叉；以及数据储存元件，该数据储存元件与水平层接触，其中，数据储存元件包括：第一电极，该第一电极包括与水平层的上部分的边缘接触的第一筒体和与水平层的下部分的边缘接触的第二筒体；第二电极，该第二电极设置在第一电极上；以及电介质层，该电介质层位于第一电极与第二电极之间，并且第二电极包括：共享部分，该共享部分设置在位于第一筒体与第二筒体之间的间隙中；内部部分，这些内部部分设置在第一筒体的内表面和第二筒体的内表面上；以及外部部分，外部部分设置在第一筒体之上以及第二筒体之下。
3、根据本专利技术的另一实施例，一种半导体器件包括：竖向导电线；水平层，该水平层从竖向导电线水平地定向；水平导电线，该水平导电线与水平层交叉；以及数据储存元件，该数据储存元件与水平层接触，其中，数据储存元件包括：第一电极，该第一电极包括与水平层的边缘接触的内部筒体以及包围内部筒体的外部筒体
4、根据本专利技术的另一实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在下结构之上形成堆叠体，在该堆叠体中第一电介质层、第一牺牲层、半导体层、第二牺牲层以及第二电介质层以上述的顺序依次地堆叠；通过对堆叠体进行刻蚀来形成开口；从开口用半导体层级牺牲层替换半导体层的一部分；通过使第一牺牲层和第二牺牲层凹陷来形成一对牺牲层级凹陷部；形成第一电极，该第一电极与半导体层的第一侧边缘接触并且包括设置在一对牺牲层级凹陷部中的双筒体；去除半导体层级牺牲层；在第一电极上形成电介质层；以及在电介质层上形成第二电极。
5、根据本专利技术的另一实施例，一种半导体器件包括：下结构；半导体层，该半导体层设置在下结构之上并且沿平行于下结构的表面的方向水平地定向；第一电极，该第一电极包括与半导体层的上部分的边缘接触的第一筒体和与半导体层的下部分的边缘接触的第二筒体；第二电极，该第二电极设置在第一电极上；以及电介质层，该电介质层位于第一电极与第二电极之间，其中，第二电极包括：共享部分，该共享部分设置在位于第一筒体与第二筒体之间的间隙中；内部部分，这些内部部分设置在第一筒体的内表面和第二筒体的内表面上；以及外部部分，外部部分设置在第一筒体之上以及第二筒体之下。
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1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极还包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述共享部分、所述内部部分、所述外部部分以及所述电极体具有集成结构。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平层包括单晶硅、氧化物半导体、多晶硅、或它们的组合。
5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括掺杂多晶硅。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
8.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
9.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括：
11.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括双功函数结构。
12.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括：
13.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括接触所述覆盖层的多个突出表面。
15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
16.一种半导体器件，包括：
17.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述内部筒体和所述外部筒体彼此接触。
18.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述内部筒体包括水平地定向的穿通部分，并且所述内部筒体的一侧与所述水平层的边缘接触。
19.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述第二电极的外部电极具有包围所述外部筒体的形状。
20.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述第二电极的所述内部电极包括：
21.如权利要求16所述的半导体器件，还包括：
22.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述水平层包括单晶硅、氧化物半导体、多晶硅、或它们的组合。
23.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括：
24.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括双功函数结构。
25.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
26.如权利要求25所述的方法，还包括：
27.如权利要求26所述的方法，其中，所述双接触节点直接地接触所述双筒体。
28.如权利要求26所述的方法，其中，所述双接触节点包括掺杂多晶硅。
29.如权利要求25所述的方法，其中，所述双筒体包括：
30.如权利要求29所述的方法，其中，所述第二电极包括：
31.如权利要求25所述的方法，其中，所述双筒体包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电极还包括：
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述共享部分、所述内部部分、所述外部部分以及所述电极体具有集成结构。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平层包括单晶硅、氧化物半导体、多晶硅、或它们的组合。
5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括掺杂多晶硅。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
8.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
9.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括：
11.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括双功函数结构。
12.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述水平导电线包括：
13.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：
14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括接触所述覆盖层的多个突出表面。
15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述双接触节点包括：
16.一种半导体器件，包括：
17.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：金一道，李麟，金承范，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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