【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于射频滤波，涉及一种体声波滤波器及其制作方法、多工器及射频前端模组。
技术介绍
1、体声波谐振器主要包括由上而下依次设有钝化层、上电极、压电层、下电极、声学镜以及支撑这四者的衬底。实际场景中，体声波滤波器通常会包括多个体声波谐振器，其中，每一个谐振器都具有一个上电极、一个下电极、一个声学镜，各谐振器共用一个衬底和一个压电层。同时，声学镜可以是设置在衬底上表面的空腔，生产过程中，先在衬底的上表面上制备空腔，然后再向空腔内填充牺牲材料，后续下电极、压电层、上电极以及钝化层制备完成后，腐蚀液通过释放孔去除牺牲材料以形成空腔。
2、在体声波滤波器中，通常会设有如二氧化硅等介电层，以减小寄生电容或防止声波能量横向泄漏，但释放工艺过程中，腐蚀液容易对介电层造成腐蚀，影响滤波器性能。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种体声波滤波器及其制作方法、多工器及射频前端模组，旨在解决释放工艺过程中，腐蚀液容易对介电层造成腐蚀的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术实施例提...
【技术保护点】
1.一种体声波滤波器，其特征在于，包括第一谐振器、第二谐振器、走线、第一介电层以及第一保护电极；
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一保护电极包括相互邻接的第一部分和第二部分，所述第一部分贴合于所述压电层的上表面，所述第二部分贴合于所述第一介电层的至少部分侧面，并延伸至所述第一介电层的上表面，且覆盖所述第一介电层的上表面的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一保护电极包括相互邻接的第一部分和第三部分，所述第一部分贴合于所述介电压电层的上表面；
4.根据权利要求1所述的体声波滤波...
【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波器，其特征在于，包括第一谐振器、第二谐振器、走线、第一介电层以及第一保护电极；
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一保护电极包括相互邻接的第一部分和第二部分，所述第一部分贴合于所述压电层的上表面，所述第二部分贴合于所述第一介电层的至少部分侧面，并延伸至所述第一介电层的上表面，且覆盖所述第一介电层的上表面的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一保护电极包括相互邻接的第一部分和第三部分，所述第一部分贴合于所述介电压电层的上表面；
4.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一保护电极包括第一部分，所述第一部分贴合于所述压电层的上表面，所述第一部分环绕在所述第一介电层的周侧。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的体声波滤波器，其特征在于，定义谐振器的压电层、上电极、下电极以及空腔所重叠的区域为交叠区，所述第一介电层的一部分位于所述第一谐振器的交叠区内，和/或，所述第一介电层的一部分位于所述第二谐振器的交叠区内。
6.根据权利要求5所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一保护电极的至少一部分位于所述第一谐振器的交叠区内，和/或，所述第一保护电极的至少一部分位于所述第二谐振器的谐振区内。
7.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一介电层的侧面与所述第一介电层的下表面之间的夹角为锐角。
8.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述体声波滤波器还包括第二介电层和第二保护电极；所述第二介电层位于所述第一谐振器的上电极的非连接端与所述压电层之间，和/或，所述第二介电层位于所述第二谐振器的上电极的非连接端与所述压电层之间；
9.根据权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第二保护电极包括相互邻接的第四部分和第五部分，所述第四部分贴合于所述压电层的上表面，所述第五部分贴合于所述第二介电层的至少部分侧面，并延伸至所述第二介电层的上表面，且覆盖所述第二介电层的上表面的至少一部分。
10.根据权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第二保护电极包括相互邻接的第四部分和第六部分，所述第四部分贴合于所述压电层的上表面；
11.根据权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第二保护电极包括第四部分，所述第四部分贴合于所述压电层的上表面，所述第四部分环绕在所述第二介电层的周侧。
12.根据权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，定义谐振器的压电层、上电极、下电极以及空腔所重叠的区域为交叠区，所述第二介电层的至少一部分位于所述第一谐振器的交叠区边缘，和...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜波，王华磊，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯重庆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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